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Investigations of titanium nitride as metal gate material, elaborated by metal organic atomic layer deposition using TDMAT and NH3

Microelectronic engineering, 2005-12, Vol.82 (3-4), p.248-253

2005

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A very promising piezoelectric property of Ta2O5 thin films. II: Birefringence and piezoelectricity

Journal of solid state chemistry, 2011-08, Vol.184 (8), p.2033-2040

2011

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Anisotropy of thermal expansion in YAlO3 and NdGaO3

Applied physics letters, 2005-06, Vol.86 (25)

2005

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Second order incommensurate phase transition in 25L-Ta2O5

Journal of solid state chemistry, 2010-09, Vol.183 (9), p.2068-2076

2010

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A very promising piezoelectric property of Ta2O5 thin films. I: Monoclinic-trigonal phase transition

Journal of solid state chemistry, 2011-08, Vol.184 (8), p.2023-2032

2011

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Development and functionalisation of Sb doped SnO2 thin films for DNA biochip applications

Sensors and actuators. B, Chemical, 2006-02, Vol.113 (2), p.1025-1033

2006

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Poly-Si∕TiN∕HfO2 gate stack etching in high-density plasmas

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2007-05, Vol.25 (3), p.767-778

2007

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In situ simultaneous XAS and electrical characterizations of Pt-doped tin oxide thin film deposited by pyrosol method for gas sensors application

Sensors and actuators. B, Chemical, 2006-12, Vol.120 (1), p.313-315

2006

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Experimental study of the minimum metal gate thickness required to fix the effective work function in metal-oxide-semiconductor capacitors

Applied physics letters, 2008-01, Vol.92 (2)

2008

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Electrical properties evolution under reducing gaseous mixtures (H2, H2S, CO) of SnO2 thin films doped with Pd/Pt aggregates and used as polluting gas sensors

Sensors and actuators. B, Chemical, 2000-01, Vol.62 (1), p.43-48

2000

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Stresses arising from a solid state reaction between palladium films and Si(001) investigated by in situ combined x-ray diffraction and curvature measurements

Journal of applied physics, 2003-08, Vol.94 (3), p.1584-1591

2003

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Post Si(C)N hillock nucleation and growth in IC copper lines controlled by diffusional creep

Microelectronic engineering, 2010-03, Vol.87 (3), p.361-364

2010

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Investigations of transient phase formation in Ti/Si thin film reaction

Journal of applied physics, 2004-07, Vol.96 (1), p.361-368

2004

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Influence of Si substrate orientation on stress development in Pd silicide films grown by solid-state reaction

Applied physics letters, 2003-08, Vol.83 (7), p.1334-1336

2003

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Epitaxial growth of LaAlO3 on Si(001) using interface engineering

Microelectronics and reliability, 2007-04, Vol.47 (4-5), p.540-543

2007

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In-situ EXAFS analysis of the local environment of Pt particles incorporated in thin films of SnO2 semi-conductor oxide used as gas-sensors

Sensors and actuators. B, Chemical, 1998-05, Vol.48 (1-3), p.277-284

1998

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Nanometer-scale period Sc/Cr multilayer mirrors and their thermal stability

Thin solid films, 2006-02, Vol.497 (1-2), p.115-120

2006

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Strain mapping at the nanoscale using precession electron diffraction in transmission electron microscope with off axis camera

Applied physics letters, 2014-11, Vol.105 (19)

2014

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Electrical properties under polluting gas (CO) of Pt- and Pd-doped polycrystalline SnO2 thin films: analysis of the metal aggregate size effect

Sensors and actuators. B, Chemical, 1999-10, Vol.59 (2-3), p.210-215

1999

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Integration of a high density Ta2O5 MIM capacitor following 3D damascene architecture compatible with copper interconnects

Microelectronic engineering, 2006-11, Vol.83 (11-12), p.2163-2168

2006

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Film texture evolution in plasma treated TiN thin films

Journal of applied physics, 1999-08, Vol.86 (4), p.2300-2306

1999

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Thermal expansion and stress development in the first stages of silicidation in Ti/Si thin films

Journal of applied physics, 2003-12, Vol.94 (11), p.7083-7090

2003

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Crystal growth of 3C–SiC polytype on 6H–SiC(0 0 0 1) substrate

Journal of crystal growth, 2002-02, Vol.235 (1), p.95-102

2002

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Investigations of the interface stability in HfO2-metal electrodes

Microelectronic engineering, 2003-11, Vol.70 (2-4), p.384-391

2003

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Epitaxial Growth on Metal Bonded SiC Substrates: Transmission Electron Microscopy and Photoluminescence

Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.255-258

2007

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