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ε-Ga₂O₃: A Promising Candidate for High-Electron-Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2020-07, Vol.41 (7), p.1052-1055
2020
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An ultra-sensitive and selective nitrogen dioxide sensor based on a novel P2C2 monolayer from a theoretical perspective
Nanoscale, 2018-12, Vol.10 (46), p.21936-21943
2018
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Highly Enhanced Inductive Current Sustaining Capability and Avalanche Ruggedness in GaN p-i-n Diodes With Shallow Bevel Termination
IEEE electron device letters, 2020-03, Vol.41 (3), p.469-472
2020
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Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN with low growth rates and their properties
Chinese physics B, 2022-01, Vol.31 (1), p.18102-717
2022
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V T Shift and Recovery Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs Under DC/AC Gate Stress Investigated by Fast Sweeping Characterization
IEEE electron device letters, 2021-10, Vol.42 (10), p.1508-1511
2021
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Open Access
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High Quantum Efficiency Back-Illuminated AlGaN-Based Solar-Blind Ultraviolet p—i—n Photodetectors
Chinese physics letters, 2012-09, Vol.29 (9), p.97302-1-097302-4
2012
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Passive Quenching Electronics for Geiger Mode 4H-SiC Avalanche Photodiodes
Chinese physics letters, 2015-12, Vol.32 (12), p.163-166
2015
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  • BibTeX
A Reusable and High Sensitivity Nitrogen Dioxide Sensor Based on Monolayer SnSe
IEEE electron device letters, 2018-04, Vol.39 (4), p.599-602
2018
Open Access
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High- HfO2-Based AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Y2O3 Interfacial Layer for High Gate Controllability and Interface Quality
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.15-19
2020
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  • BibTeX
High-Gain AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes
IEEE electron device letters, 2014-03, Vol.35 (3), p.372-374
2014
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  • BibTeX
Solar-blind ultraviolet band-pass filter based on metal-dielectric multilayer structures
Chinese physics B, 2014-07, Vol.23 (7), p.404-408
2014
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Breakdown characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes fabricated on a silicon substrate
Chinese physics B, 2014-09, Vol.23 (9), p.97308-1-097308-5, Article 97308
2014
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  • BibTeX
Study on the self-absorption of InGaN quantum wells at high photon density
Applied optics (2004), 2020-06, Vol.59 (16), p.4790-4795
2020
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  • BibTeX
Temperature-dependent efficiency droop behaviors of GaN-based green light-emitting diodes
Chinese physics B, 2013-04, Vol.22 (4), p.500-503
2013
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  • BibTeX
High Deep-Ultraviolet Quantum Efficiency GaN P—I—N Photodetectors with Thin P-GaN Contact Layer
Chinese physics letters, 2013-01, Vol.30 (1), p.17302-1-017302-3
2013
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  • BibTeX
Homo-epitaxial growth of high crystal quality GaN thin films by plasma assisted–molecular beam epitaxy
Journal of crystal growth, 2019-01, Vol.506, p.30-35
2019
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  • BibTeX
Forward Current Transport Mechanisms of Ni/Au-InAlN/AlN/GaN Schottky Diodes
Chinese physics letters, 2014-05, Vol.31 (5), p.140-143
2014
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  • BibTeX
The Effects of Polarization on the Current Transport Mechanisms for UV-LEDs
Chinese physics letters, 2013-06, Vol.30 (6), p.68501-1-068501-4, Article 068501
2013
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  • BibTeX
Vacuum Violet Photo-Response of AlGaN-Based Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors
Chinese physics letters, 2013-11, Vol.30 (11), p.117301-1-117301-3
2013
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  • BibTeX
Au/Pt/InGaN/GaN Heterostructure Schottky Prototype Solar Cell
Chinese physics letters, 2009-09, Vol.26 (9), p.098102
2009
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  • BibTeX
A 1100+ V AlGaN/GaN-Based Planar Schottky Barrier Diode without Edge Termination
Chinese physics letters, 2011-01, Vol.28 (1), p.017303
2011
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  • BibTeX
Effect of a Single Threading Dislocation on Electrical and Single Photon Detection Characteristics of 4H-SiC Ultraviolet Avalanche Photodiodes
Chinese physics letters, 2020-06, Vol.37 (6), p.68502
2020
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  • BibTeX
Theoretical analysis for AlGaN avalanche photodiodes with mesa and field plate structure
Chinese physics B, 2020-07, Vol.29 (8), p.88502
2020
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  • BibTeX
GaN Schottky Barrier Diodes with High-Resistivity Edge Termination Formed by Boron Implantation
Chinese physics letters, 2013-05, Vol.30 (5), p.57303-1-057303-4
2013
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  • BibTeX
Exploitation of Polarization in Back-Illuminated AlGaN Avalanche Photodiodes
IEEE photonics technology letters, 2013-08, Vol.25 (15), p.1510-1513
2013
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