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Increase of SiC Substrate Resistance Induced by Annealing
Materials science forum, 2010-04, Vol.645-648, p.223-226
2010
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High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications
Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.1055-1058
2009
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High-Temperature Static and Dynamic Reliability Study of 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power System Applications
Materials science forum, 2009-01, Vol.600-603, p.1051-1054
2009
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High Uniformity with Reduced Surface Roughness of Chloride Based CVD Process on 100mm 4° Off-Axis 4H-SiC
Materials science forum, 2012-05, Vol.717-720, p.93-96
2012
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A Review of SiC Power Switch: Achievements, Difficulties and Perspectives
Materials science forum, 2004-06, Vol.457-460, p.1249-1252
2004
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Surface Morphology Improvement and Repeatable Doping Characterization of 4H-SiC Epitaxy Grown on 4° Off-Axis 4H-SiC Wafers
Materials science forum, 2009-03, Vol.615-617, p.423-426
2009
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Highly Uniform SiC Epitaxy for MESFET Fabrication
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.195-198
2006
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Fast Switching (41 MHz), 2.5 mΩ•cm2, High Current 4H-SiC VJFETs for High Power and High Temperature Applications
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1183-1186
2006
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RF and DC Characterization of Self-Aligned L-Band 4H-SiC Static Induction Transistors
Materials science forum, 2006-10, Vol.527-529, p.1223-1226
2006
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Effect of High-Dose Aluminium Implantation on 4H-SiC Oxidation
Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.885-888
2004
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Design and Implementation of the Optimized Edge Termination in 1.8 kV 4H-SiC PiN Diodes
Materials science forum, 2004-06, Vol.457-460, p.1101-1104
2004
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Effects of Electrode Spacing on Reactive Ion Etching of 4H-SiC
MRS proceedings, 2000, Vol.622, Article T8.8.1
2000
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