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Analysis of In0.07Ga0.93As layers on GaAs compliant substrates by double crystal x-ray diffraction
Applied physics letters, 1997-03, Vol.70 (13), p.1754-1756
1997
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Selective Wet Etching of Lithium Gallate
Journal of the Electrochemical Society, 1998-05, Vol.145 (5), p.L88-L90
1998
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Strain-modulated epitaxy: Modification of growth kinetics via patterned, compliant substrates
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1996-05, Vol.14 (3), p.2170-2174
1996
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Metastability modeling of compliant substrate critical thickness using experimental strain relief data
Applied physics letters, 1997-09, Vol.71 (10), p.1344-1346
1997
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Analysis of GaAs Substrate Removal Etching with Citric Acid :  H 2 O 2 and  NH 4 OH  :  H 2 O 2 for Application to Compliant Substrates
Journal of the Electrochemical Society, 1997-02, Vol.144 (2), p.L29-L31
1997
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Strain-modulated epitaxy: A flexible approach to 3-D band structure engineering without surface patterning
Applied physics letters, 1996-07, Vol.69 (2), p.257-259
1996
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A new mechanism for spontaneous nanostructure formation on bottom-patterned compliant substrates
Applied physics letters, 1997-11, Vol.71 (19), p.2773-2775
1997
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Growth dynamics of [formula omitted] by MBE
Journal of crystal growth, 1997-05, Vol.175-176, p.203-210
1997
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Compliant Substrates for Reduction of Strain Relief in Mismatched Overlayers
MRS proceedings, 1996, Vol.441, Article 361
1996
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Compound semiconductor compliant substrates for extension of the conventional critical thickness in mismatched overlayers and strain-modulated epitaxy
1997
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