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Sol–Gel-Deposited Ti-Doped ZnO: Toward Cell Fouling Transparent Conductive Oxides
ACS omega, 2019-07, Vol.4 (7), p.11354-11363
2019
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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.1-7
2023
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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.4101-4107
2023
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Optimization of GaN Nanowires Reformation Process by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Device‐Quality GaN Templates
Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2020-04, Vol.257 (4), p.n/a
2020
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Hot-Wall MOCVD for High-Quality Homoepitaxy of GaN: Understanding Nucleation and Design of Growth Strategies
Crystal growth & design, 2022-12, Vol.22 (12), p.7021-7030
2022
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Epitaxial Strategies for Defect Reduction in GaN for Vertical Power Devices
2022
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Compared Biocompatibility of ZnTiO3, ZnO and TiO2 Sol-Gel Films with Human Mesenchymal Stem Cells
MRS advances, 2016-01, Vol.1 (11), p.737-742
2016
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Phonon-boundary scattering and thermal transport in AlxGa1−xN: Effect of layer thickness
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (25)
2020
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Correction: Phonon-boundary scattering and thermal transport in AlxGa1-xN: Effect of layer thickness (vol 117, 252102, 2020)
Applied physics letters, 2021, Vol.118 (10)
2021
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Erratum: “Phonon-boundary scattering and thermal transport in Al x Ga1 − x N: Effect of layer thickness” [Appl. Phys. Lett. 117 , 252102 (2020)]
Applied physics letters, 2021-05, Vol.118 (18)
2021
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Publisher's Note: “Phonon-boundary scattering and thermal transport in Al x Ga1− x N: Effect of layer thickness” [Appl. Phys Lett. 117 , 252102 (2020)]
Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (10)
2021
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Correction: Erratum: “Phonon-boundary scattering and thermal transport in Al x Ga 1− x N: Effect of layer thickness” [Appl. Phys. Lett. 117, 252102 (2020)]
Applied physics letters, 2021, Vol.118 (18)
2021
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Phonon-boundary scattering and thermal transport in Al x Ga1− x N: Effect of layer thickness
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (25)
2020
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Phonon-boundary scattering and thermal transport in Al x Ga 1-x N: Effect of layer thickness
Applied physics letters, 2020, Vol.117 (25)
2020
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Epitaxy of Group III-Nitride Materials Using Different Nucleation Schemes
2023
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Publisher's Note: “Phonon-boundary scattering and thermal transport in AlxGa1−xN: Effect of layer thickness” [Appl. Phys Lett. 117, 252102 (2020)]
Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (10)
2021
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Thermal conductivity of AlxGa1-xN (0 <= x <= 1) epitaxial layers
Physical review materials, 2022, Vol.6 (10)
2022
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