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Gain studies of (Cd, Zn)Se quantum islands in a ZnSe matrix
Applied physics letters, 1998-02, Vol.72 (8), p.942-944
1998
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Properties of the intermediately bound α, β- and γ-excitons in ZnO:Cu
Journal of physics. Condensed matter, 1998-03, Vol.10 (9), p.2007-2019
1998
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Mechanisms of optical gain in cubic gallium nitrite
Applied physics letters, 1998-03, Vol.72 (12), p.1439-1441
1998
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A Quantitative Analysis of Two-Colour Pump and Probe Spectra from Bound Excitons in Compensated II-VI Semiconductors
Physica status solidi. B. Basic research, 2002-01, Vol.229 (2), p.617-620
2002
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Erbium luminescence in doped amorphous silicon
Applied physics letters, 1990-01, Vol.56 (5), p.446-447
1990
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Zeeman spectroscopy of the Fe3+ center in GaN
Applied physics letters, 1995-11, Vol.67 (19), p.2822-2824
1995
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The copper centre: a transient shallow acceptor in ZnS and CdS
Journal of physics. Condensed matter, 1992-01, Vol.4 (1), p.157-168
1992
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Influence of compensation on the luminescence of nitrogen-doped ZnSe epilayers grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.307-311
1996
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Calorimetric absorption spectroscopy at mK temperatures — an extremely sensitive method to determine nonradiative processes in solids
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1), p.698-703
1992
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Time-resolved micro-photoluminescence of epitaxial laterally overgrown GaN
Journal of luminescence, 2000-05, Vol.87, p.1192-1195
2000
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Nonradiative transition rates of Fe2+ in III-V and II-VI semiconductors
Journal of luminescence, 1994, Vol.58 (1-6), p.252-256
1994
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Impact of Structural Properties on the Mechanisms of Optical Amplification in Cubic GaInN
physica status solidi (b), 1999-11, Vol.216 (1), p.471-476
1999
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Local vibrational modes of the CuO4-cluster in ZnO
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.889-892
1996
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Acceptor bound biexcitons in ZnSe and CdS
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.776-779
1996
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Degenerate four-wave mixing at bound excitons in II–VI semiconductors
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.809-814
1994
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Identification of the 1.19-eV luminescence in hexagonal GaN
Physical review. B, Condensed matter, 1995-12, Vol.52 (23), p.16508-16515
1995
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  • BibTeX
Influence of growth non-stoichiometry on optical properties of doped and non-doped ZnSe grown by chemical vapour deposition
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.75-80
1994
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  • BibTeX
Optical and electrical properties of heavily indium-doped CdS around the semiconductor-metal phase transition
Journal of crystal growth, 1990-04, Vol.101 (1), p.497-501
1990
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Picosecond recombination dynamics at Ni-centres in ZnS and CdS
Journal of luminescence, 1992-07, Vol.53 (1-6), p.359-362
1992
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Incorporation of nitrogen in ZnSe grown by metalorganic vapour phase epitaxy
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.379-384
1994
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Raman Scattering from Defects in GaN
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1197-1202
1997
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  • BibTeX
Energy transfer processes via the interface of ZnSe/GaAs epilayers
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1), p.820-825
1994
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Spontaneous photon echo from the (A 0, X) complex in CdS
Journal of luminescence, 1994, Vol.58 (1), p.237-240
1994
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Strain-dependent Zeeman effect of the nitrogen acceptor bound exciton in ZnSe-epilayers
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.302-306
1996
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Nonlinear Zeeman effect of the Ni3+ centre in ZnO
Journal of crystal growth, 1992-02, Vol.117 (1-4), p.727-731
1992
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