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Electrical characterization of the slow boron oxygen defect component in Czochralski silicon
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2015-12, Vol.9 (12), p.692-696
2015
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UMG n-type Cz-silicon: Influencing Factors of the Light-induced Degradation and its Suitability for PV Production
Energy procedia, 2014, Vol.55, p.526-532
2014
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Stability of the regeneration of the boron–oxygen complex in silicon solar cells during module certification
Solar energy materials and solar cells, 2014-02, Vol.121, p.157-162
2014
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Towards a unified low-field model for carrier mobilities in crystalline silicon
Solar energy materials and solar cells, 2014-12, Vol.131, p.92-99
2014
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Modeling majority carrier mobility in compensated crystalline silicon for solar cells
Solar energy materials and solar cells, 2012-11, Vol.106, p.31-36
2012
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Inline quality rating of multi-crystalline wafers based on photoluminescence images
Progress in photovoltaics, 2016-12, Vol.24 (12), p.1533-1546
2016
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A New Method for the Determination of the Dopant-Related Base Resistivity Despite the Presence of Thermal Donors
IEEE journal of photovoltaics, 2015-01, Vol.5 (1), p.269-275
2015
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Stability of the regeneration of the boronaoxygen complex in silicon solar cells during module integration
Solar energy materials and solar cells, 2013-08, Vol.115, p.189-198
2013
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Stability of the regeneration of the boron–oxygen complex in silicon solar cells during module integration
Solar energy materials and solar cells, 2013-08, Vol.115, p.189-198
2013
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A Unified Parameterization of the Formation of Boron Oxygen Defects and their Electrical Activity
Energy procedia, 2016, Vol.92, p.170-179
2016
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Light-induced Degradation and Regeneration in n-type Silicon
Energy procedia, 2015, Vol.77, p.626-632
2015
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Resistivity, Doping Concentrations, and Carrier Mobilities in Compensated n- and p-Type Czochralski Silicon: Comparison of Measurements and Simulations and Consistent Description of Material Parameters
IEEE journal of photovoltaics, 2015-09, Vol.5 (5), p.1276-1284
2015
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