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2009
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IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.307-309
- Li, C. I.
- Breil, N.
- Wen, T. Y.
- Liu, S. Y.
- Hsieh, M. S.
- Yen, S. J.
- Chang, C. W.
- Tsai, S. H.
- Gossmann, H.
- Guo, B. N.
- Shim, K. H.
- Variam, N.
- Tang, S.
- Wang, C.
- Salimian, S.
- Nejad, H.
- Sharma, S.
- Wen, J.
- Khaja, F. A.
- Hollar, K.
- Ng, B.
- Nagy, S.
- Hung, R.
- Hou, M.
- Chen, S.
- Kuo, J.
- Liao, D.
- Chudzik, M.
- Yang, N. H.
- Hung, G. C.
- Hsu, S. C.
- Wu, J. Y.
2019
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2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2023, p.1-2
2023
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IEEE electron device letters, 2009-11, Vol.30 (11), p.1197-1199
2009
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2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
2016
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IEEE transactions on electron devices, 2008-05, Vol.55 (5), p.1192-1202
2008
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Microelectronic engineering, 2011-07, Vol.88 (7), p.1186-1188
2011
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Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2008-12, Vol.154, p.159-162
2008
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IEEE electron device letters, 2008-02, Vol.29 (2), p.152-154
2008
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2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, p.18.4.1-18.4.4
2022
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Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2008-12, Vol.154-155, p.175-178
2008
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Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2005-08, Vol.237 (1-2), p.148-154
2005
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2017 Symposium on VLSI Technology, 2017, p.T216-T217
2017
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2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
- Yang, Y. R.
- Breil, N.
- Yang, C. Y.
- Hsieh, J.
- Chiang, F.
- Colombeau, B.
- Guo, B. N.
- Shim, K. H.
- Variam, N.
- Leung, G.
- Hebb, J.
- Sharma, S.
- Ni, C. N.
- Ren, J.
- Wen, J.
- Park, J. H.
- Chen, H.
- Chen, S.
- Hou, M.
- Tsai, D.
- Kuo, J.
- Liao, D.
- Chudzik, M.
- Lin, S. H.
- Huang, H. F.
- Yang, N. H.
- Lin, J. F.
- Tsai, C. T.
- Hung, G. C.
- Hsu, S. C.
- Cheng, O.
- Wu, J. Y.
- Yew, T. R.
2016
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2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
- Adusumilli, P.
- Alptekin, E.
- Raymond, M.
- Breil, N.
- Chafik, F.
- Lavoie, C.
- Ferrer, D.
- Jain, S.
- Kamineni, V.
- Ozcan, A.
- Allen, S.
- An, J. J.
- Basker, V.
- Bolam, R.
- Bu, H.
- Cai, J.
- Demarest, J.
- Doris, B.
- Engbrecht, E.
- Fan, S.
- Fronheiser, J.
- Gluschenkov, O.
- Guo, D.
- Haran, B.
- Hilscher, D.
- Jagannathan, H.
- Kang, D.
- Ke, Y.
- Kim, J.
- Koswatta, S.
- Kumar, A.
- Labonte, A.
- Lallement, R.
- Lee, W.
- Lee, Y.
- Li, J.
- Lin, C.-H
- Liu, B.
- Liu, Z.
- Loubet, N.
- Makela, N.
- Mochizuki, S.
- Morgenfeld, B.
- Narasimha, S.
- Nesheiwat, T.
- Niimi, H.
- Niu, C.
- Oh, M.
- Park, C.
- Ramachandran, R.
- Rice, J.
- Sardesai, V.
- Shearer, J.
- Sheraw, C.
- Tran, C.
- Tsutsui, G.
- Utomo, H.
- Wong, K.
- Xie, R.
- Yamashita, T.
- Yan, Y.
- Yeh, C.
- Yu, M.
- Zamdmer, N.
- Zhan, N.
- Zhang, B.
- Paruchuri, V.
- Goldberg, C.
- Kleemeier, W.
- Stiffler, S.
- Divakaruni, R.
- Henson, W.
2016
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Applied physics letters, 2009-07, Vol.95 (2), p.023106-023106-3
2009
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2016 IEEE International Interconnect Technology Conference / Advanced Metallization Conference (IITC/AMC), 2016, p.139-140
2016
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Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (23), p.232112-232112-3
2007
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2016 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), 2016, p.1-2
2016
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IEEE transactions on electron devices, 2008, Vol.55, p.1192-1202
2008
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Central European journal of physics, 2011-04, Vol.9 (2), p.423-427
2011
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MRS proceedings, 2010, Vol.1252 (1)
2010
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ECS transactions, 2009, Vol.19 (4), p.201-207
2009
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Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2006-12, Vol.253 (1-2), p.274-277
2006
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Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2008-12, Vol.154-155, p.175-178
2008
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