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Physica status solidi: December 16

Görlich

2021

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Growth of Ga1−xAlxSb and Ga1−xInxSb by organometallic chemical vapor deposition

Journal of crystal growth, 1986-09, Vol.77 (1-3), p.400-407

1986

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MOCVD growth of CuInSe2 : first results

Journal of crystal growth, 1992-11, Vol.124 (1-4), p.620-627

1992

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MOVPE grown Ga0.6In0.4Sb photodiodes for 2.55 μm detection

Electronics letters, 1992-03, Vol.28 (6), p.531

1992

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Growth and characterization of undoped and N-type (Te) doped MOVPE grown gallium antimonide

Journal of electronic materials, 1990-02, Vol.19 (2), p.187-195

1990

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Growth of CuInSe2 by metallorganic chemical vapour deposition (MOCVD): new copper precursor

Journal of materials science. Materials in electronics, 1996-06, Vol.7 (3), p.201-205

1996

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Growth and Characterization of n‐Type (Te) Doped Metal Organic Vapor Phase Epitaxy GaInSb

Journal of the Electrochemical Society, 1993-08, Vol.140 (8), p.2406-2409

1993

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InGaSb/GaSb photodiodes grown by MOVPE

Journal of crystal growth, 1992-11, Vol.124 (1), p.409-414

1992

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Growth and characterization of metal-organic vapour phase epitaxial Ga1−xInxAsySb1−y quaternary layers

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1991-07, Vol.9 (1-3), p.121-124

1991

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Improvement of the crystalline, optical and electrical quality of MOVPE GaInSb layers

Journal of crystal growth, 1991, Vol.107 (1), p.502-508

1991

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Growth of GaInAsSb Alloys by MOCVD and Characterization of GaInAsSb / GaSb p‐n Photodiodes

Journal of the Electrochemical Society, 1988-07, Vol.135 (7), p.1783-1788

1988

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On the Electrical Properties of Cu^S

December 16, 2021, Vol.8, Number 2, p.653-657

2021

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Non-destructive determination of free carrier density of epitaxial layers of GaSb by IR reflectivity measurement

Thin solid films, 1987-12, Vol.155 (1), p.125-132

1987

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Fabrication du compose ternaire ZnGeP2 et caracterisation

Materials research bulletin, 1978-05, Vol.13 (5), p.457-467

1978

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The optical properties of sprayed CdS thin films

Thin solid films, 1982-01, Vol.92 (3), p.199-209

1982

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Contribution a l'etude du diagramme de phase du systeme CuxS (1.75⩽x⩽2) entre 10°C et 200°C

Materials research bulletin, 1976-07, Vol.11 (7), p.851-856

1976

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Etude du diagramme de phase du systeme CuTe dans le domaine de la solution solide Cu2 − x Te (0 < × < 0, 16)

Materials research bulletin, 1973-08, Vol.8 (8), p.935-942

1973

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Chemical spray pyrolysis of CuInSe2 thin films

Solar cells, 1986, Vol.16, p.221-236

1986

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Etude du systeme CuS dans le domaine Cu1,78S  Cu2,1S par analyse thermique differentielle

Materials research bulletin, 1972-09, Vol.7 (9), p.955-961

1972

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Electrical properties of high digenite αCu2−yS (0 < y < 0.27)

The Journal of physics and chemistry of solids, 1975-01, Vol.36 (6), p.621-622

1975

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Etude du domaine d'existence de la phase α″ du tellurure cuivreux a partir de la conductivite electrique

Materials research bulletin, 1970-09, Vol.5 (9), p.763-767

1970

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On the electrical properties of CuxS

Physica status solidi. A, Applied research, 1971-12, Vol.8 (2), p.K93-K96

1971

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Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb

Revue de physique appliquée, 1987, Vol.22 (8), p.837-844

1987

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Diffusion and solubility of Zn in GaSb

Physica status solidi. A, Applied research, 1974-03, Vol.22 (1), p.205-208

1974

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Diffusion of Cadmium in Gallium Antimonide

physica status solidi (b), 1968, Vol.26 (2), p.K127-K129

1968

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