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Advanced metallization concepts and impact on reliability
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-05, Vol.53 (5S2), p.5-1-05GA11-9
2014
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Integration of ALD-TaN Liners on Nanoporous Dielectrics
MRS proceedings, 2005, Vol.863, Article B6.5
2005
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Electrochemical passivation of gallium arsenide surface with organic self-assembled monolayers in aqueous electrolytes
Applied physics letters, 2000-05, Vol.76 (22), p.3313-3315
2000
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Effect of TaN Stoichiometry on Barrier Oxidation and Defect Density in 32nm Cu/Ultra-Low K Interconnects
MRS proceedings, 2010, Vol.1249 (1), Article 1249-F01-02
2010
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Extendibility Study of a PVD Cu Seed Process with Ar+ Rf-Plasma Enhanced Coverage for 45nm Interconnects
MRS proceedings, 2008, Vol.1079 (1), Article 1079-N03-04
2008
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From Process Assumptions to Development to Manufacturing
MRS proceedings, 2008, Vol.1079 (1), Article 1079-N02-01
2008
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High nuclearity Pt carbonyls in alkali-metal X zeolites
Journal of the Chemical Society. Faraday transactions, 1996-06, Vol.92 (11), p.2035-2041
1996
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