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Resolving power requirements of laser electron-beam tubes (quantoscopes)
Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 1998-04, Vol.28 (4), p.370-373
1998
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Electron-beam-pumped semiconductor lasers
Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 1994-12, Vol.24 (12), p.1031-1053
1994
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Resolving power of laser electron-beam tubes (quantoscopes)
Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 1996-02, Vol.26 (2), p.157-162
1996
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Relativistic electron beam injection into neutral gases
Plasma physics, 1983-01, Vol.25 (1), p.11-24
1983
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Semiconductor electron-beam-pumped lasers of the radiating mirror type
IEEE journal of quantum electronics, 1973-02, Vol.9 (2), p.342-347
1973
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The use of electron-beam pumped semiconductor lasers in projection television
IEEE journal of quantum electronics, 1978-02, Vol.14 (2), p.133-135, Article 133
1978
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Influence of the excitation inhomogeneity on the threshold of electron-beam-pumped lasers
Soviet journal of quantum electronics, 1974-02, Vol.4 (2), p.198-202
1974
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Scanning laser microscope
IEEE journal of quantum electronics, 1980-02, Vol.16 (2), p.129-131
1980
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Resolving power requirements of laser electron-beam tubes (quantoscopes)
Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 1998, Vol.28 (4), p.370-373
1998
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Influence of an oxide film on the surfaces of Ga1–xAlxAs solid solutions on the threshold current density of an electron-beam-pumped laser
Soviet journal of quantum electronics, 1981-05, Vol.11, p.672
1981
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Devices based on electron-beam-pumped semiconductor lasers : A review
Journal of communications technology & electronics, 1999, Vol.44 (8), p.839-855
1999
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Measurement of short lengths with a scanning electron microscope
Measurement techniques, 1985-11, Vol.28 (11), p.957-961
1985
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Investigation of the relationships governing the formation of images in a scanning laser microscope
Soviet journal of quantum electronics, 1984-05, Vol.14 (5), p.674-677
1984
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Electron-beam-pumped semiconductor laser operating at low acceleration voltages
Soviet journal of quantum electronics, 1981-05, Vol.11 (5), p.675-677
1981
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Investigation of the refractive index profiles of multilayer Ga1–xAlxAs laser heterostructures
Soviet journal of quantum electronics, 1983-02, Vol.13, p.240
1983
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Influence of carrier migration processes on threshold characteristics of semiconductor lasers pumped longitudinally by an electron beam
Soviet journal of quantum electronics, 1980-07, Vol.10 (7), p.833-835
1980
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Electron-beam-pumped ZnSe-ZnS heterolaser
Soviet journal of quantum electronics, 1976-03, Vol.6 (3), p.329-331
1976
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Two-dimensional variable-gap structures in longitudinally pumped semiconductor lasers
Soviet journal of quantum electronics, 1978-09, Vol.8 (9), p.1148-1150
1978
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Variable-gap structures in electron-beam-pumped semiconductor lasers
Soviet journal of quantum electronics, 1978-06, Vol.8 (6), p.747-751
1978
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Influence of deep impurity levels on the threshold characteristics of electron-beam-pumped lasers made of n–Ga1–xAlxAs
Soviet journal of quantum electronics, 1984-04, Vol.14, p.563
1984
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KINETICS OF RECOVERY OF LUMINESCENCE PROPERTIES OF GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTALS IRRADIATED WITH HIGH-ENERGY ELECTRONS
Soviet journal of quantum electronics, 1973-05, Vol.2 (5), p.479-481
1973
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Influence of amplified spontaneous radiation on parameters of a longitudinally pumped laser
Soviet journal of quantum electronics, 1975-08, Vol.5 (8), p.953-956
1975
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High-power multielement longitudinally pumped semiconductor laser
Soviet journal of quantum electronics, 1975-06, Vol.5 (6), p.729-729
1975
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Electron-beam-pumped lasers using heteroepitaxial zinc selenide obtained from organoelemental compounds
Soviet journal of quantum electronics, 1983-05, Vol.13 (5), p.632-634
1983
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Influence of electron energy on the characteristics of electron-beam-pumped semiconductor lasers
IEEE journal of quantum electronics, 1970-06, Vol.6 (6), p.389-392
1970
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