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Modeling small-signal response of GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor gate stack in spill-over regime: Effect of barrier resistance and interface states

Journal of applied physics, 2015-01, Vol.117 (2)

2015

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Improving the ALD-grown Y2O3/Ge interface quality by surface and annealing treatments

Applied surface science, 2016-04, Vol.369, p.377-383

2016

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Medizintechnische Optionen und Perspektiven zur Datenvernetzung von Praxis und Klinik

Aktuelle Kardiologie, 2015-08, Vol.4 (4), p.239-241

2015

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Quality assurance in CT: implementation of the updated national diagnostic reference levels using an automated CT dose monitoring system

Clinical radiology, 2018-07, Vol.73 (7), p.677.e13-677.e20

2018

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ALD grown bilayer junction of ZnO:Al and tunnel oxide barrier for SIS solar cell

Solar energy materials and solar cells, 2013-10, Vol.117, p.178-182

2013

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Linearity optimization of atomic layer deposited ZrO2 metal-insulator-metal capacitors by inserting interfacial Zr-doped chromia layers

Journal of applied physics, 2016-03, Vol.119 (12)

2016

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Platinum-assisted post deposition annealing of the n-Ge/Y2O3 interface

Semiconductor science and technology, 2016-06, Vol.31 (7)

2016

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Fixed interface charges between AlGaN barrier and gate stack composed of in situ grown SiN and Al2O3 in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with normally off capability

Applied physics letters, 2014-03, Vol.104 (11)

2014

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Dose Monitoring in Radiology Departments: Status Quo and Future Perspectives

RöFo : Fortschritte auf dem Gebiet der Röntgenstrahlen und der bildgebende Verfahren, 2016-05, Vol.188 (5), p.443

2016

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Atomic layer deposition of ZrO2/La2O3 high-k dielectrics on germanium reaching 0.5 nm equivalent oxide thickness

Applied physics letters, 2009-06, Vol.94 (26)

2009

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Effective reduction of trap density at the Y2O3/Ge interface by rigorous high-temperature oxygen annealing

Journal of applied physics, 2014-12, Vol.116 (21), p.214111

2014

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Explanation of threshold voltage scaling in enhancement-mode InAlN/AlN–GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistors on Si substrates

Thin solid films, 2012-07, Vol.520 (19), p.6230-6232

2012

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Stability of La2O3 and GeO2 passivated Ge surfaces during ALD of ZrO2 high-k dielectric

Applied surface science, 2012-02, Vol.258 (8), p.3444-3449

2012

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Ge p-MOSFETs With Scaled ALD La2O3/ZrO2 Gate Dielectrics

IEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3295-3302

2010

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Stabilization of a very high-k crystalline ZrO2 phase by post deposition annealing of atomic layer deposited ZrO2/La2O3 dielectrics on germanium

Applied surface science, 2010-06, Vol.256 (16), p.5031-5034

2010

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Fabrication of highly ordered nanopillar arrays and defined etching of ALD-grown all-around platinum films

Journal of micromechanics and microengineering, 2012-08, Vol.22 (8), p.85013-6

2012

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Process temperature dependent high frequency capacitance-voltage response of ZrO2/GeO2/germanium capacitors

Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (5)

2010

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Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics

Microelectronic engineering, 2011-03, Vol.88 (3), p.262-267

2011

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Current collapse reduction in InAlN/GaN MOS HEMTs by in situ surface pre-treatment and atomic layer deposition of ZrO2 high-k gate dielectrics

Electronics letters, 2009, Vol.45 (11), p.570-572

2009

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Artificial cilia of magnetically tagged polymer nanowires for biomimetic mechanosensing

Bioinspiration & biomimetics, 2011-12, Vol.6 (4), p.046007-1-9

2011

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Ge p-MOSFETs With Scaled ALD \hbox \hbox/\hbox Gate Dielectrics

IEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3295-3302

2010

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Dose Monitoring in Radiology Departments: Status Quo and Future Perspectives

RöFo : Fortschritte auf dem Gebiet der Röntgenstrahlen und der bildgebende Verfahren, 2016-04, Vol.188 (5), p.443-450

2016

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Improving the ALD-grown Y 2 O 3 /Ge interface quality by surface and annealing treatments

Applied surface science, 2016-04, Vol.369, p.377-383

2016

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Implementierung sowie erste Ergebnisse einer automatischen größenkorrigierten Dosiserfassung bei CT-Untersuchungen mittels SSDE in der klinischen Routine eines Krankenhauses der Maximalversorgung

RöFo : Fortschritte auf dem Gebiet der Röntgenstrahlen und der bildgebende Verfahren, 2017, Vol.189 (S 01), p.S1-S124

2017

Volltextzugriff (PDF)

Genauigkeit der Berechnung von größenspezifischen Dosisabschätzungen (SSDE) aus dem wasseräquivalenten Durchmesser der Mittelschicht des CT Volumens

RöFo : Fortschritte auf dem Gebiet der Röntgenstrahlen und der bildgebende Verfahren, 2017, Vol.189 (S 01), p.S1-S124

2017

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