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Periodic scarred States in open quantum dots as evidence of quantum Darwinism
Physical review letters, 2010-04, Vol.104 (17), p.176801-176801, Article 176801
2010
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Open quantum dots—probing the quantum to classical transition
Semiconductor science and technology, 2011-04, Vol.26 (4), p.043001
2011
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Observation of Spin Injection at a Ferromagnet-Semiconductor Interface
Physical review letters, 1999-07, Vol.83 (1), p.203-206
1999
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Open Access
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Charge scattering mechanisms in shallow InAs quantum wells
Journal of applied physics, 2020-04, Vol.127 (14)
2020
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Imaging scarred states in quantum dots
Journal of physics. Condensed matter, 2009-05, Vol.21 (21), p.212201-212201 (5)
2009
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Scaling projections for Sb-based p-channel FETs
Solid-state electronics, 2010-11, Vol.54 (11), p.1349-1358
2010
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Effect of illumination on the interplay between Dresselhaus and Rashba spin-orbit couplings in InAs quantum wells
Journal of applied physics, 2019-08, Vol.126 (7)
2019
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High mobility p-channel HFETs using strained Sb-based materials
Electronics letters, 2007, Vol.43 (15), p.834-835
2007
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InAs HEMT narrowband amplifier with ultra-low power dissipation
Electronics letters, 2006-06, Vol.42 (12), p.688-690
2006
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Growth of dilute GaNSb by plasma-assisted MBE
Journal of crystal growth, 2005-05, Vol.278 (1), p.188-192
2005
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High radiation tolerance of InAs∕AlSb high-electron-mobility transistors
Applied physics letters, 2005-10, Vol.87 (17)
2005
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Surface reconstruction phase diagrams for InAs, AlSb, and GaSb
Journal of crystal growth, 2000-12, Vol.220 (4), p.384-392
2000
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Band gap reduction in GaNSb alloys due to the anion mismatch
Applied physics letters, 2005-09, Vol.87 (13), p.132101-132101-3
2005
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Nanostructure patterns written in III–V semiconductors by an atomic force microscope
Applied physics letters, 1997-04, Vol.70 (14), p.1855-1857
1997
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Photoluminescence studies of self-assembled InSb, GaSb, and AlSb quantum dot heterostructures
Applied physics letters, 1996-06, Vol.68 (25), p.3614-3616
1996
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Auger coefficients in type-II InAs/Ga1−xInxSb quantum wells
Applied physics letters, 1998-11, Vol.73 (20), p.2857-2859
1998
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Arsenic cross-contamination in GaSb/InAs superlattices
Journal of crystal growth, 2004-10, Vol.270 (3-4), p.301-308
2004
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Growth of dilute nitride alloys of GaInSb lattice-matched to GaSb
Journal of crystal growth, 2007-06, Vol.304 (2), p.338-341
2007
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Sb-based HEMTs with InAlSb/InAs heterojunction
Electronics letters, 2005-09, Vol.41 (19), p.1088-1089
2005
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Low-frequency noise in AlSb∕InAs high-electron-mobility transistor structure as a function of temperature and illumination
Applied physics letters, 2004-08, Vol.85 (5), p.774-776
2004
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Surface morphology of homoepitaxial GaSb films grown on flat and vicinal substrates
Journal of crystal growth, 2002-03, Vol.236 (1), p.155-164
2002
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Interpreting interfacial structure in cross-sectional STM images of III–V semiconductor heterostructures
Surface science, 2000-10, Vol.465 (3), p.361-371
2000
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Band anticrossing in GaNxSb1−x
Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (11)
2006
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Nanometer scale surface clustering on ZnSe epilayers
Applied physics letters, 1998-03, Vol.72 (10), p.1238-1240
1998
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Effects of surface reconstruction on III–V semiconductor interface formation: The role of III/V composition
Applied physics letters, 1999-03, Vol.74 (12), p.1704-1706
1999
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