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Open Access
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Machine learning investigation of high-k metal gate processes for dynamic random access memory peripheral transistor
APL materials, 2024-02, Vol.12 (2), p.021131-021131-10
2024
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Improvement of VRT immunity using low 10-boron word line in recent DRAM
Microelectronics and reliability, 2024-06, Vol.157, p.115396, Article 115396
2024
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Analysis of Intermittent Single-bit Failure on 10-nm node generation DRAM Devices
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, p.1-6
2023
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Enhanced DRAM Single Bit Characteristics from Process Control of Chlorine
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, p.1-4
2023
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Interface Engineering of Trench-Ox for Modern DRAM Devices
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024, p.1-4
2024
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A 16-Gb T-Coil-Based GDDR6 DRAM With Merged-MUX TX, Optimized WCK Operation, and Alternative-Data-Bus Achieving 27-Gb/s/Pin in NRZ
IEEE journal of solid-state circuits, 2023-01, Vol.58 (1), p.1-12
2023
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Investigation on NBTI Control Techniques of HKMG Transistors for Low-power DRAM applications
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, p.1-5
2023
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14nm DRAM Development and Manufacturing
2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2023, p.1-2
2023
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13.6 A 16Gb 37Gb/s GDDR7 DRAM with PAM3-Optimized TRX Equalization and ZQ Calibration
2024 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2024, Vol.67, p.242-244
2024
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Stress-induced leakage current comparison of giga-bit scale DRAM capacitors with OCS (one-cylinder-storage) node
2000 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report (Cat. No.00TH8515), 2000, p.116-119
2000
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