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Non-volatile logic-in-memory ternary content addressable memory circuit with floating gate field effect transistor
AIP advances, 2023-04, Vol.13 (4), p.045211-045211-13
2023
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Analyzing Various Structural and Temperature Characteristics of Floating Gate Field Effect Transistors Applicable to Fine-Grain Logic-in-Memory Devices
Micromachines (Basel), 2024-04, Vol.15 (4), p.450
2024
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Circuit simulation of floating-gate FET (FGFET) for logic application
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, 2023-12, Vol.6, p.100090, Article 100090
2023
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Analysis of Logic-in-Memory Full Adder Circuit With Floating Gate Field Effect Transistor (FGFET)
IEEE access, 2023, Vol.11, p.97778-97785
2023
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Enhancing simulation feasibility for multi-layer 2D MoS 2 RRAM devices: reliability performance learnings from a passive network model
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 2024-08, Vol.26 (31), p.20962-20970
2024
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Investigation on floating-gate field-effect transistor for logic-in-memory application
Journal of physics. D, Applied physics, 2023-12, Vol.56 (49), p.495105
2023
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Enhancing simulation feasibility for multi-layer 2D MoS2 RRAM devices: reliability performance learnings from a passive network model
Physical chemistry chemical physics : PCCP, 2024-08, Vol.26 (31), p.20962-20970
2024
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Characterization of threshold voltage instability after program in charge trap flash memory
2009 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2009, p.284-287
2009
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Band Engineered Charge Trap Layer for highly Reliable MLC Flash Memory
2007 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2007, p.138-139
2007
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Sub-6F2 Charge Trap Dynamic Random Access Memory Using a Novel Operation Scheme
2006 64th Device Research Conference, 2006, p.261-262
2006
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