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Auger-Limited Carrier Recombination and Relaxation in CdSe Colloidal Quantum Wells
The journal of physical chemistry letters, 2015-03, Vol.6 (6), p.1032-1036
2015
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Electron mobility limited by scattering from screened positively charged dislocation lines within indium nitride
Applied physics letters, 2011-12, Vol.99 (26), p.262106-262106-3
2011
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Occupation statistics of the VGa – ON dislocations within n-type gallium nitride
Journal of applied physics, 2011-08, Vol.110 (3)
2011
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Threading dislocation lines within indium nitride versus gallium nitride: The implications of different dominant dislocation line charge screening mechanisms
Solid state communications, 2022-09, Vol.352, p.114833, Article 114833
2022
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An enhancement in the low-field electron mobility associated with a ZnMgO/ZnO heterostructure: The role of a two-dimensional electron gas
Journal of applied physics, 2013-07, Vol.114 (2)
2013
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Maximal utilization of purge gas in methanol plants with improved primary furnace burners: A CFD study
Process safety and environmental protection, 2023-09, Vol.177, p.446-462
2023
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Occupation statistics of the V Ga - O N dislocations within n-type gallium nitride
Journal of applied physics, 2011-08, Vol.110 (3), p.033509-033509-6
2011
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Dislocation line charge screening within n-type gallium nitride
Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (2)
2013
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Occupation statistics of the 5/7-atom dislocation core structure within n-type indium nitride
Journal of applied physics, 2013-08, Vol.114 (5)
2013
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A transition in the nature of the occupancy of the dislocation lines within n-type wurtzite gallium nitride
Journal of applied physics, 2013-04, Vol.113 (16)
2013
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Occupation statistics of dislocations within uncompensated n-type wurtzite gallium nitride
Journal of applied physics, 2011-06, Vol.109 (11), p.113706-113706-6
2011
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Electron transport within a zinc-oxide-based two-dimensional electron gas: The impact of variations in the electron effective mass
MRS proceedings, 2014, Vol.1674 (1), p.1-6, Article mrss14-1674-j08-19
2014
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Electron transport within the two-dimensional electron gas formed at a ZnO/ZnMgO heterojunction: Recent progress
MRS proceedings, 2013, Vol.1577 (1), Article mrss13-1577-xx03-23
2013
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The occupancy of the threading dislocation lines within n-type gallium nitride: Recent progress
MRS proceedings, 2012, Vol.1432 (1), p.91-96, Article mrss12-1432-g07-07
2012
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