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(Invited) Room Temperature Bonding of Wafers with Thin Nanocrystalline Metal Films
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.61-72
2010
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Metal Thermocompression Wafer Bonding for 3D Integration and MEMS Applications
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.27-35
2010
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Surface and Interface Characterization of Sequentially Plasma Activated Silicon, Silicon dioxide and Germanium Wafers for Low Temperature Bonding Applications
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.329-338
2010
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Direct and Polymer Bonding of III-V to Processed Silicon-On-Insulator for Hybrid Silicon Evanescent Lasers Fabrication
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.403-410
2010
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Al-Ge Eutectic Wafer Bonding and Bond Characterization for CMOS Compatible Wafer Packaging
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.93-101
2010
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Low-Temperature Direct Bonding of Borosilicate, Fused Silica, and Functional Coatings
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.339-348
2010
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Reactive Bonding and Low Temperature Bonding of Heterogeneous Materials
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.307-318
2010
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Direct Bonding of Glass Substrates
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.349-355
2010
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Chemical-Mechanical Polishing for III-V Wafer Bonding Applications: Polishing, Roughness, and an Abrasive-Free Polishing Model
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.383-389
2010
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Open Access
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Die-to-Die Adhesive Bonding for Evanescently-Coupled Photonic Devices
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.411-420
2010
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Characterization of Hysteresis of Surface Energy in Room-Temperature Direct Bonding Processes
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.573-580
2010
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Innovative Megasonic Cleaning Technology Evaluated Through Direct Wafer Bonding
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.495-500
2010
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Investigation of Sulfur Passivation Treatments for Direct Wafer Bonding of III-V Materials
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.375-382
2010
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High Quality Thin Body III-V-On-Insulator Channel Layer Transfer on Si Wafer Using Direct Wafer Bonding
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.391-401
2010
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Wafer Bonding Process Selection
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.509-517
2010
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Demonstration of Enhanced III-V-On-Silicon Hybrid Integration by Using a Strained Superlattice as a Defect Blocking Layer
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.421-426
2010
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Defect Formation at Hydrophilic Silicon Bonding Interfaces
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.451-456
2010
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(Invited) An Overview of Patterned Metal/Dielectric Surface Bonding: Mechanism, Alignment and Characterization
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.3-16
2010
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Silicon Nitride Surface Conversion into Oxide to Enable Hydrophilic Bonding
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.475-483
2010
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The Study of the Bonding Energy on Silicon-to-Glass Wafer Bonding
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.501-507
2010
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Bonding of ALD Alumina for Advanced SOI Substrates
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.137-144
2010
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Lattice Strain and Strain Evolution in Hydrogen-Implanted Materials: The Roles of Mechanical Properties and Hydrogen Diffusion
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.249-254
2010
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Metal Surface Preparation for Wafer Bonding with Point of Use Wet Chemistries
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.17-26
2010
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Novel Application of Wafer-Bonded MultiSOI: Junctionless Nanowire Transistors for CMOS Logic
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.169-173
2010
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(Invited) Wafer Bonding Technology in Nitride Semiconductors for Applications in Energy and Communications
ECS transactions, 2010, Vol.33 (4), p.125-135
2010
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