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PROPERTIES OF HfO2/Hf-SILICATE/Si STRUCTURES WITH Hf-SILICATE FORMED BY Hf METAL DEPOSITION AND SUBSEQUENT REACTION
Jpn.J.Appl.Phys ,Part 2. Vol. 40, no. 8A, pp. L813-L816. 2001, 2001-08, Vol.40 (8A), p.L813-L816
2001
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Significant reduction of leakage current in the TiO2/Si structure by the insertion of the CeO2 intermediate layer
Applied physics letters, 2000-07, Vol.77 (5), p.729-731
2000
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Characteristics of HfO2/HfSixOy film as an alternative gate dielectric in metal–oxide–semiconductor devices
Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2002-07, Vol.20 (4), p.1360-1363
2002
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Properties of HfO 2 /Hf-Silicate/Si Structures with Hf-Silicate Formed by Hf Metal Deposition and Subsequent Reaction
Japanese Journal of Applied Physics, 2001-08, Vol.40 (8A), p.L813
2001
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Characteristics of HfO 2 / HfSi x O y film as an alternative gate dielectric in metal–oxide–semiconductor devices
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2002-07, Vol.20 (4), p.1360-1363
2002
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