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Impact of Tellurium Precipitates in CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe Deposition
Journal of electronic materials, 2014-11, Vol.43 (11), p.3993-3998
2014
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The Distribution Tail of LWIR HgCdTe-on-Si FPAs: a Hypothetical Physical Mechanism
Journal of electronic materials, 2011-03, Vol.40 (3), p.280-288
2011
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Microstructural Characterization of CdTe(211)B/ZnTe/Si(211) Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy
Journal of electronic materials, 2011-08, Vol.40 (8), p.1733-1737
2011
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Dislocation Analysis in (112)B HgCdTe/CdTe/Si
Journal of electronic materials, 2011-08, Vol.40 (8), p.1847-1853
2011
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Characterization of Dislocations in (112)B HgCdTe/CdTe/Si
Journal of electronic materials, 2010-07, Vol.39 (7), p.1080-1086
2010
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Impurity Gettering in (112)B HgCdTe/CdTe/Alternate Substrates
Journal of electronic materials, 2013-11, Vol.42 (11), p.3217-3223
2013
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Evaluation of Surface Cleaning of Si(211) for Molecular-Beam Epitaxy Deposition of Infrared Detectors
Journal of electronic materials, 2010-07, Vol.39 (7), p.951-957
2010
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Wafer Mapping Using Deuterium Enhanced Defect Characterization
Journal of electronic materials, 2010-07, Vol.39 (7), p.930-935
2010
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Topography and Dislocations in (112)B HgCdTe/CdTe/Si
Journal of electronic materials, 2009-08, Vol.38 (8), p.1771-1775
2009
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Defects and the Formation of Impurity ‘Hot Spots’ in HgCdTe/CdZnTe
Journal of electronic materials, 2019-10, Vol.48 (10), p.6194-6202
2019
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Growth and Analysis of HgCdTe on Alternate Substrates
Journal of electronic materials, 2012-10, Vol.41 (10), p.2971-2974
2012
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Impact of CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe Deposition
Journal of electronic materials, 2017-09, Vol.46 (9), p.5418-5423
2017
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Impurity ‘Hot Spots’ in MBE HgCdTe/CdZnTe
Journal of electronic materials, 2018-10, Vol.47 (10), p.5671-5679
2018
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Analysis of Etched CdZnTe Substrates
Journal of electronic materials, 2016-09, Vol.45 (9), p.4502-4510
2016
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Planar p-on-n HgCdTe heterostructure photovoltaic detectors
Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (9), p.976-978
1993
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As-Received CdZnTe Substrate Contamination
Journal of electronic materials, 2015-09, Vol.44 (9), p.3082-3091
2015
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Defects, diffusion and activation in ion implanted HgCdTe
Journal of crystal growth, 1988-01, Vol.86 (1-4), p.723-734
1988
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MBE HgCdTe heterostructure p-on-n planar infrared photodiodes
Journal of electronic materials, 1993-08, Vol.22 (8), p.1049-1053
1993
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Annealing effect on the P-type carrier concentration in low-temperature processed arsenic-doped HgCdTe
Journal of electronic materials, 1993-08, Vol.22 (8), p.1039-1047
1993
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Role of Hg in junction formation in ion-implanted HgCdTe
Applied physics letters, 1987-08, Vol.51 (5), p.355-357
1987
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Diffusion of As and Sb in HgCdTe
Journal of crystal growth, 1992-10, Vol.123 (3), p.555-566
1992
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Molecular-beam epitaxy growth and in situ arsenic doping of p-on-n HgCdTe heterojunctions
Journal of applied physics, 1991-02, Vol.69 (4), p.2143-2148
1991
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Novel very sensitive analytical technique for compositional analysis of Hg1-xCdxTe epilayers
Applied physics letters, 1992-01, Vol.60 (2), p.222-224
1992
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Dark current generating mechanisms in short wavelength infrared photovoltaic detectors
Journal of electronic materials, 1998-06, Vol.27 (6), p.722-726
1998
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Origin of void defects in Hg1-xCdxTe grown by molecular beam epitaxy
Journal of electronic materials, 1995-09, Vol.24 (9), p.1207-1210
1995
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