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Thermal and plasma treatments for improved (sub-)1 nm equivalent oxide thickness planar and FinFET-based replacement metal gate high-k last devices and enabling a simplified scalable CMOS integration scheme
Japanese Journal of Applied Physics, 2014-03, Vol.53 (4S), p.4
2014
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Thermal and plasma treatments for improved (sub-)1nm equivalent oxide thickness planar and FinFET-based replacement metal gate high-k last devices and enabling a simplified scalable CMOS integration scheme
Japanese Journal of Applied Physics, 2014, Vol.53 (4S), p.04EA04-1-04EA04-7
2014
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Double patterning with dual hard mask for 28-nm node devices and below
Journal of micro/nanolithography, MEMS, and MOEMS, 2013-10, Vol.12 (4), p.41306
2013
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