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HVPE fabrication of GaN sub-micro pillars on preliminarily treated Si(001) substrate
Optical materials, 2021-07, Vol.117, p.111130, Article 111130
2021
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Structural-spectroscopic study of epitaxial GaAs layers grown on compliant substrates based on a superstructural layer and protoporous silicon
Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147985, Article 147985
2021
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S2-semipolar GaN grown by HVPE on a non-polar m-plane sapphire: Features of growth and structural, morphological, and optical properties
Optical materials, 2022-07, Vol.129, p.112507, Article 112507
2022
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Experimental study of structural and optical properties of integrated MOCVD GaAs/Si(001) heterostructures
Physica. B, Condensed matter, 2018-02, Vol.530, p.30-37
2018
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Impact of the substrate misorientation and its preliminary etching on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si MOCVD heterostructures
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2018-03, Vol.97, p.218-225
2018
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Effect of GaAs(100) substrate misorientation on structural, electronic, and optical properties of AlN nano-sized films obtained by reactive plasma-ion deposition
Physica. B, Condensed matter, 2019-06, Vol.563, p.62-71
2019
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Distinctions of the growth and structural-spectroscopic investigations of thin AlN films grown on the GaAs substrates
Physica. B, Condensed matter, 2016-08, Vol.495, p.54-63
2016
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Structural features and surface morphology of AlxGayIn1−x−yAszP1−z/GaAs(100) heterostructures
Applied surface science, 2013-02, Vol.267, p.181-184
2013
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Experimental investigations of atomic ordering effects in the epitaxial GaxIn1-xP, coherently grown on GaAs (100) substrates
Physica. B, Condensed matter, 2017-03, Vol.509, p.1-9
2017
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Epitaxial alloys of AlxGa1−xAs:Mg with different types of conductivity
Physica. B, Condensed matter, 2016-10, Vol.498, p.65-71
2016
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Experimental Studies of the Effects of Atomic Ordering in Epitaxial [Ga.sub.x][In.sub.1-x]P Alloys on Their Optical Properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-09, Vol.51 (9), p.1111
2017
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Influence of Substrate Misorientation on the Composition and the Structural and Photoluminescence Properties of Epitaxial Layers Grown on GaAs(100)
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-01, Vol.52 (1), p.112-117
2018
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Effect of Misorientation and Preliminary Etching of the Substrate on the Structural and Optical Properties of Integrated GaAs/Si(100) Heterostructures Produced by Vapor Phase Epitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-08, Vol.52 (8), p.1012-1021
2018
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Investigations of nanodimensional [Al.sub.2][O.sub.3] films deposited by ion-plasma sputtering onto porous silicon
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-07, p.915
2015
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Structural and optical investigations of AlxGa1−xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures
Physica. B, Condensed matter, 2010-11, Vol.405 (22), p.4607-4614
2010
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Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(1 0 0) heterostructures
Physica. B, Condensed matter, 2010-06, Vol.405 (12), p.2694-2696
2010
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Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-07, Vol.50 (7), p.853-859
2016
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Properties of AlN films deposited by reactive ion-plasma sputtering
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-10, Vol.49 (10), p.1383-1387
2015
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Properties of epitaxial [.sub.1-uy] [C.sub.y] alloys grown by MOCVD autoepitaxy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-01, Vol.47 (1), p.7
2013
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[Ga.sub.1-x]As/GaAs hetermostructures with anomalously high carrier mobility
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-08, p.1019
2015
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Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-09, Vol.50 (9), p.1261-1272
2016
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Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD [.sub.1-z][Si.sub.z] alloys
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-01, Vol.48 (1), p.21
2014
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Structural and optical properties of heavily doped [Al.sub.x][Ga.sub.1-x][As.sub.1-y][P.sub.y]: Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-08, Vol.48 (8), p.1094
2014
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Superstructured ordering in [Al.sub.x][Ga.sub.1-x] As and [Ga.sub.x][In.sub.1-x] P alloys
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-01, Vol.47 (1), p.1
2013
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Structural and optical investigations of Al x Ga 1− x As:Si/GaAs(1 0 0) MOCVD heterostructures
Physica. B, Condensed matter, 2010, Vol.405 (22), p.4607-4614
2010
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