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Quantitative analysis of doped/undoped ZnO nanomaterials using laser assisted atom probe tomography: Influence of the analysis parameters
Journal of applied physics, 2015-12, Vol.118 (21)
2015
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Composition of Wide Bandgap Semiconductor Materials and Nanostructures Measured by Atom Probe Tomography and Its Dependence on the Surface Electric Field
Journal of physical chemistry. C, 2014-10, Vol.118 (41), p.24136-24151
2014
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Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs
Journal of semiconductors, 2021-02, Vol.42 (2), p.24103-118
2021
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Observation of Dynamic VTH of p-GaN Gate HEMTs by Fast Sweeping Characterization
IEEE electron device letters, 2020-04, Vol.41 (4), p.577-580
2020
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Observation of Dynamic V TH of p-GaN Gate HEMTs by Fast Sweeping Characterization
IEEE electron device letters, 2020-04, Vol.41 (4), p.577-580
2020
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Thermal characterization of GaN lateral power HEMTs on Si, SOI, and poly-AlN substrates
Microelectronics and reliability, 2021-03, Vol.118, p.114061, Article 114061
2021
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Reliability of p-GaN Gate HEMTs in Reverse Conduction
IEEE transactions on electron devices, 2021-02, Vol.68 (2), p.645-652
2021
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Integration of 650 V GaN Power ICs on 200 mm Engineered Substrates
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2020-11, Vol.33 (4), p.534-538
2020
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Thermal resistance characterization of GaN power HEMTs on Si, SOI, and poly-AlN substrates
2020 21st International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), 2020, p.1-6
2020
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