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Phosphorous passivation of the SiO2/4H-SiC interface

Solid-state electronics, 2012-02, Vol.68, p.103-107

2012

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Proton radiation effects in 4H-SiC diodes and MOS capacitors

IEEE transactions on nuclear science, 2004-12, Vol.51 (6), p.3748-3752

2004

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The effect of gamma-ray irradiation on the electrical characteristics of sol-gel derived zinc tin oxide thin film transistors

Solid-state electronics, 2022-05, Vol.191, p.108270, Article 108270

2022

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Phosphorous passivation of the SiO 2/4H–SiC interface

Solid-state electronics, 2012-02, Vol.68, p.103-107

2012

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Nitrogen Plasma Processing of SiO2/4H-SiC Interfaces

Journal of electronic materials, 2014-04, Vol.43 (4), p.857-862

2014

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Stable Phosphorus Passivated SiO2/4H-SiC Interface Using Thin Oxides

Materials science forum, 2014-10, Vol.806, p.139-142

2014

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Electron Trapping in 4H-SiC MOS Capacitors Fabricated by Sodium-Enhanced Oxidation

Materials science forum, 2012, Vol.717-720, p.757-760

2012

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MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC

Journal of electronic materials, 2010-05, Vol.39 (5), p.526-529

2010

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Effective Refractory Metal Alloy Barrier Layer for High Temperature Microelectronic Device Application

MRS proceedings, 2013, Vol.1519 (1), Article mrsf12-1519-mm11-02

2013

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Dynamic Properties of Spectrally Selective Reactively Sputtered Metal Oxides

MRS proceedings, 2013, Vol.1494 (1), p.245-251

2013

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Waves on fluid-loaded shells and their resonance frequency spectrum

Journal of sound and vibration, 2005-10, Vol.287 (1), p.383-394

2005

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Nitridation of the 4H-SiC/Oxide interface via NO anneal and plasma injection

2009 International Semiconductor Device Research Symposium, 2009, p.1-2

2009

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Studies of DASMS, a novel organic salt with very large electro-optic coefficient

Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest (IEEE Cat. No.01CH37170), 2001, p.15-16

2001

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