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Analysis of width edge effects in advanced isolation schemes for deep submicron CMOS technologies
IEEE transactions on electron devices, 1996-11, Vol.43 (11), p.1900-1906
1996
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A model of conduction in polycrystalline silicon films
Journal of applied physics, 1987-09, Vol.62 (5), p.1869-1876
1987
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Leakage mechanisms of titanium silicided n +/ p junctions fabricated using rapid thermal processing
Applied physics letters, 1991-03, Vol.58 (12), p.1280-1282
1991
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Field-induced transition in the conductivity mechanism of polycrystalline silicon films
Journal of applied physics, 1988-04, Vol.63 (7), p.2311-2315
1988
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Hubbard's sub-band conduction in Si poly-SiO2 transition layers
Solid-state electronics, 1987-07, Vol.30 (7), p.765-769
1987
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Open Access
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Interpretation of thermoelectric power in silicon-on-sapphire films by means of a long-range potential-fluctuation model
Journal of applied physics, 1985-01, Vol.57 (2), p.325-329
1985
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Optimization of a self-aligned titanium silicide process for submicron technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 1990-11, Vol.3 (4), p.168-175
1990
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Impact OF 0.25 μm NMOS Drain Engineering on Performance and Reliability
ESSDERC '95: Proceedings of the 25th European Solid State Device Research Conference, 1995, p.789-792
1995
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Cost effective simulation of three-dimensional effects in the shallow trench isolation process
27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, p.468-471
1997
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Comparative Study of Surface and Buried Channel 0.25 μm pMOSFETs
ESSDERC '96: Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference, 1996, p.325-328
1996
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Analysis of Parasitic Effects in Advanced Isolation Schemes for Deep Submicron CMOS Technologies
ESSDERC '95: Proceedings of the 25th European Solid State Device Research Conference, 1995, p.375-378
1995
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Hubbard's sub-band conduction in Si poly-SiO 2 transition layers
Solid-state electronics, 1987, Vol.30 (7), p.765-769
1987
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Impact of Premetal process on the 0.25 um device performances
28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.600-603
1998
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0.25 um NMOS transistor with nitride spacer: reduction of the short channel effect by optimisation of the gate reoxidation process and reliablity
27th European Solid-State Device Research Conference, 1997, p.396-399
1997
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