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Design and Construction of a High-Current Capacitor Bank for Flash Graphene Synthesis
Engineering proceedings, 2023-12, Vol.47 (1), p.18
2023
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Revisión acerca de biosensores basados en grafeno para la detección del SARSCOV- 2
FIGEMPA, 2021-12, Vol.12 (2), p.70-80
2021
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A compact model based on the Lambert function for AlGaN/GaN Schottky barrier gated-edge termination
Solid-state electronics, 2023-12, Vol.210, p.108778, Article 108778
2023
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Reliability Improvements in AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With a Gated Edge Termination
IEEE transactions on electron devices, 2018-05, Vol.65 (5), p.1765-1770
2018
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BTI saturation and universal relaxation in SiC power MOSFETs
Microelectronics and reliability, 2020-06, Vol.109, p.113642, Article 113642
2020
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Influence of GaN- and Si 3 N 4 -Passivation Layers on the Performance of AlGaN/GaN Diodes With a Gated Edge Termination
IEEE transactions on electron devices, 2019-02, Vol.66 (2), p.883-889
2019
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Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al2O3 layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Microelectronic engineering, 2017-06, Vol.178, p.42-47
2017
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Influence of GaN- and Si3N4-Passivation Layers on the Performance of AlGaN/GaN Diodes With a Gated Edge Termination
IEEE transactions on electron devices, 2019-02, Vol.66 (2), p.883-889
2019
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On recoverable behavior of PBTI in AlGaN/GaN MOS-HEMT
Solid-state electronics, 2017-06, Vol.132, p.49-56
2017
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Estudio de Confiabilidad en Diodos Basados en AlGaN/GaN Durante el Estado de Encendido
Revista Politécnica, 2022-05, Vol.50 (1), p.27-34
2022
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ON-state reliability of GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes: Si3N4 vs. Al2O3/SiO2 GET dielectric
2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021, p.1-6
2021
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RF-DC Multiplier for RF Energy Harvester based on 32nm and TFET technologies
2021 IEEE 12th Latin America Symposium on Circuits and System (LASCAS), 2021, p.1-4
2021
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Reconfigurable CMOS/STT-MTJ Non-Volatile Circuit for Logic-in-Memory Applications
2020 IEEE 11th Latin American Symposium on Circuits & Systems (LASCAS), 2020, p.1-4
2020
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Reliability in GaN-based devices for power applications
2018 IEEE Third Ecuador Technical Chapters Meeting (ETCM), 2018, p.1-6
2018
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Microprocessor Design with a Direct Bluetooth Connection in 45 nm Technology Using Microwind
2019 IEEE 10th Latin American Symposium on Circuits & Systems (LASCAS), 2019, p.105-108
2019
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Hearing Health Virtual Assessment Through Association Rules Mining Inside a College Community
Innovation and Research - A Driving Force for Socio-Econo-Technological Development, p.439-449
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Reliability Assessment of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes Under ON-State Stress
IEEE transactions on device and materials reliability, 2020-03, Vol.20 (1), p.167-171
2020
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