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Non-vacuum processed next generation thin film photovoltaics: Towards marketable efficiency and production of CZTS based solar cells
Solar energy, 2013-08, Vol.94, p.37-70
2013
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Technology and Performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs With Gate Insulation and Current Collapse Suppression Using ZrO2 or HfO2
IEEE transactions on electron devices, 2008-03, Vol.55 (3), p.937-941
2008
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Atomic layer-deposited platinum in high-k/metal gate stacks
Semiconductor science and technology, 2009-12, Vol.24 (12), p.125013-125013 (6)
2009
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Pt-assisted oxidation of (100)-Ge/high-k interfaces and improvement of their electrical quality
Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (15)
2010
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Low temperature atomic layer deposition of high- k dielectric stacks for scaled metal-oxide-semiconductor devices
Thin solid films, 2009-07, Vol.517 (18), p.5543-5547
2009
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Pt-assisted oxidation of (100)-Ge/high- k interfaces and improvementof their electrical quality
Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (15), p.152904-152904-3
2010
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Atomic layer-deposited platinum in high-κ/metal gate stacks
Semiconductor science and technology, 2009, Vol.24 (12)
2009
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Technology and Performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs With Gate Insulation and Current Collapse Suppression Using Zr \hbox or Hf \hbox
IEEE transactions on electron devices, 2008-03, Vol.55 (3), p.937-941
2008
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Interface States and Trapping Effects in Al 2 O 3 - and ZrO 2 /InAlN/AlN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor Heterostructures
Japanese Journal of Applied Physics, 2009-09, Vol.48 (9), p.90201
2009
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