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Electron paramagnetic resonance and optical absorption study of acceptors in CdSiP2 crystals

AIP advances, 2018-09, Vol.8 (9), p.095014-095014-10

2018

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Intrinsic point defects (vacancies and antisites) in CdGeP2 crystals

Journal of applied physics, 2023-06, Vol.133 (24)

2023

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Deep selenium donors in ZnGeP2 crystals: An electron paramagnetic resonance study of a nonlinear optical material

Journal of applied physics, 2024-04, Vol.135 (15)

2024

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Optically active selenium vacancies in BaGa4Se7 crystals

Journal of applied physics, 2021-11, Vol.130 (17)

2021

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Residual optical absorption from native defects in CdSiP2 crystals

Optical materials express, 2024-02, Vol.14 (2), p.293

2024

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Morphology dependent field emission of acid-spun carbon nanotube fibers

Nanotechnology, 2015-03, Vol.26 (10), p.105706-105706

2015

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Characterizing the thickness dependence of epitaxial GaN grown over GaN nanocolumns using X-ray diffraction

Journal of crystal growth, 2008-06, Vol.310 (13), p.3159-3162

2008

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Molecular beam epitaxial growth of high-quality GaN nanocolumns

Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.500-503

2006

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Structure, magnetic, and microwave properties of thick Ba-hexaferrite films epitaxially grown on GaN/Al2O3 substrates

Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (24)

2010

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Low-voltage InAsP/InAs HBT and metamorphic InAs BJT devices grown by molecular beam epitaxy

Journal of crystal growth, 2003-04, Vol.251 (1), p.852-857

2003

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InAs-based heterojunction bipolar transistors

Electronics letters, 2002-03, Vol.38 (7), p.344-346

2002

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Residual optical absorption from native defects in CdSiP 2 crystals

Optical materials express, 2024-02, Vol.14 (2), p.293

2024

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Selective area growth of GaN using gas source molecular beam epitaxy

Journal of electronic materials, 2000-03, Vol.29 (3), p.322-324

2000

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Emitter injection efficiency and base transport factor in InAs bipolar transistors

Journal of applied physics, 2003-10, Vol.94 (8), p.5423-5425

2003

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Physical processes of current gain in InAs bipolar junction transistors

Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2004, Vol.20 (3), p.511-514

2004

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Structure, magnetic, and microwave properties of thick Ba-hexaferrite films epitaxially grown on GaN / Al 2 O 3 substrates

Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (24), p.242502-242502-3

2010

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InAs-based bipolar transistors grown by molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 2002-05, Vol.20 (3), p.1213-1216

2002

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Epitaxial overgrowth of GaN nanocolumns

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 2007-05, Vol.25 (3), p.964-968

2007

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