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Recovery from myasthenic crisis after use of IVIG therapy
Indian pediatrics, 1998-09, Vol.35 (9), p.901-903
1998
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1412
2023
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on Hf x Zr 1−x O 2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1412-1416
2023
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on Hf } Zr -\textit} O } Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
IEEE transactions on electron devices, 2023-02, p.1-5
2023
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on Hf x Zr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
IEEE transactions on electron devices, 2023-01, Vol.70 (3), p.1412
2023
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Ferroelectric Tunnel Junction Memristors for In‐Memory Computing Accelerators
Advanced intelligent systems, 2024-03, Vol.6 (3), p.n/a
2024
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Integration of Ferroelectric HfxZr1-xO2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon
IEEE electron device letters, 2022-06, Vol.43 (6), p.854-857
2022
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Ferroelectricity in Ultrathin HfO 2 -Based Films by Nanosecond Laser Annealing
ACS applied materials & interfaces, 2024-10
2024
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Ferroelectricity in Ultrathin HfO2‑Based Films by Nanosecond Laser Annealing
ACS applied materials & interfaces, 2024-10, Vol.16 (41), p.55684-55692
2024
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Improved quality of InSb-on-insulator microstructures by flash annealing into melt
Nanotechnology, 2021-04, Vol.32 (16), p.165602-165602
2021
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Integration of Ferroelectric Hf x Zr 1-x O 2 on Vertical III-V Nanowire Gate-All-Around FETs on Silicon
IEEE electron device letters, 2022-06, Vol.43 (6), p.854-857
2022
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Effects of TiN Top Electrode Texturing on Ferroelectricity in Hf1-xZrxO2
ACS applied materials & interfaces, 2021-03, Vol.13 (9), p.11089-11095
2021
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A method for estimating defects in ferroelectric thin film MOSCAPs
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (24)
2020
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Effects of TiN Top Electrode Texturing on Ferroelectricity in Hf1–x Zr x O2
ACS applied materials & interfaces, 2021-03, Vol.13 (9), p.11089-11095
2021
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Reduced annealing temperature for ferroelectric HZO on InAs with enhanced polarization
Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (6)
2020
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Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf1- xZrxO2on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf0.2Zr0.8O2
ACS applied electronic materials, 2022-12, Vol.4 (12), p.6357
2022
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Effects of TiN Top Electrode Texturing on Ferroelectricity in Hf 1- x Zr x O 2
ACS applied materials & interfaces, 2021-03, Vol.13 (9), p.11089-11095
2021
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Top Electrode Engineering for Freedom in Design and Implementation of Ferroelectric Tunnel Junctions Based on Hf1- xZrxO2
ACS applied electronic materials, 2022-03, Vol.4 (3), p.1002
2022
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Fabrication of Single‐Crystalline InSb‐on‐Insulator by Rapid Melt Growth
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2022-02, Vol.219 (4), p.n/a
2022
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Top Electrode Engineering for Freedom in Design and Implementation of Ferroelectric Tunnel Junctions Based on Hf1–x Zr x O2
ACS applied electronic materials, 2022-03, Vol.4 (3), p.1002-1009
2022
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Top Electrode Engineering for Freedom in Design and Implementation of Ferroelectric Tunnel Junctions Based on Hf 1– x Zr x O 2
ACS applied electronic materials, 2022-03, Vol.4 (3), p.1002-1009
2022
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Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf1–xZrxO2 on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf0.2Zr0.8O2
ACS applied electronic materials, 2022-12, Vol.4 (12), p.6357-6363
2022
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Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf1–x Zr x O2 on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf0.2Zr0.8O2
ACS applied electronic materials, 2022-12, Vol.4 (12), p.6357-6363
2022
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Ferroelectric-Antiferroelectric Transition of Hf 1- x Zr x O 2 on Indium Arsenide with Enhanced Ferroelectric Characteristics for Hf 0.2 Zr 0.8 O 2
ACS applied electronic materials, 2022-12, Vol.4 (12), p.6357-6363
2022
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Improved Endurance of Ferroelectric Hf x Zr 1–x O 2 Integrated on InAs Using Millisecond Annealing (Adv. Mater. Interfaces 27/2022)
Advanced materials interfaces, 2022-09, Vol.9 (27)
2022
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