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应用于宽带的AlGaN/GaN MIS-HEMT高效率器件
红外与毫米波学报, 2023, Vol.42 (3), p.339-344
2023
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带有原位生长SiNx绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件
红外与毫米波学报, 2023, Vol.42 (4), p.483-489
2023
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超高效液相色谱-飞行时间质谱法快速分析测定山药中7种常见杀菌剂
食品安全质量检测学报, 2021, Vol.12 (12), p.4764-4769
2021
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QuEChERS前处理结合气相色谱电子捕获检测器检测果蔬中30种农药残留
食品安全质量检测学报, 2020, Vol.11 (21), p.7942-7949
2020
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超高效液相色谱-飞行时间质谱法测定蔬菜中辛硫磷残留量
食品安全质量检测学报, 2018, Vol.9 (17), p.4645-4649
2018
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PSEN1基因p.F105L突变相关的一个早发家族性阿尔茨海默病家系特征分析
中华医学杂志, 2018-11, Vol.98 (41), p.3324-3327
2018
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Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制
红外与毫米波学报, 2011, Vol.30 (3), p.255-259
2011
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最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
红外与毫米波学报, 2011, Vol.30 (4), p.289-292
2011
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High performance AIGaN/GaN HEMTs with 2.4 μm source-drain spacing
Journal of semiconductors, 2010 (3), p.38-40
2010
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兴奋性氨基酸受体拮抗剂减轻电休克诱发的大鼠学习记忆障碍和Tau蛋白的过度磷酸化
生理学报, 2012, Vol.64 (4), p.387-402
2012
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Impact of UV/ozone surface treatment on AIGaN/GaN HEMTs
Journal of semiconductors, 2009 (12), p.18-20
2009
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Annealing before gate metal deposition related noise performance in AIGaN/GaN HEMTs
Journal of semiconductors, 2009 (5), p.28-31
2009
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Performance comparison of Pt/Au and Ni/Au Schottky contacts on AlxGa1-x N/GaN heterostructures at high temperatures
Chinese physics B, 2010-12, Vol.19 (12), p.478-483
2010
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磷酸二铵中有效磷含量测定方法的改进
工程学研究与实用, 2023, Vol.4 (16), p.121-123
2023
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Leakage current reduction by thermal oxidation in Ni/Au Schottky contacts on lattice-matched Ino.18Al0.82N/GaN heterostructures
中国物理B：英文版, 2014 (3), p.493-497
2014
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Improvement of breakdown characteristics of an A1GaN/GaN HEMT with a U-type gate foot for millimeter-wave power application
中国物理B：英文版, 2012, Vol.21 (12), p.531-537
2012
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Small-signal model parameter extraction for AlGaN/GaN HEMT
Journal of semiconductors, 2016-03, Vol.37 (3), p.48-52
2016
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INFINITELY MANY SOLUTIONS FOR A CLASS OF DEGENERATE ELLIPTIC EQUATIONS
Acta mathematica scientia, 2011-09, Vol.31 (5), p.1899-1910
2011
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AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3＋BCB passivation
Chinese physics B, 2015-10, Vol.24 (11), p.468-472
2015
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High-field-induced electron detrapping in an AlGaN/GaN high electron mobility transistor
Chinese physics B, 2012-10, Vol.21 (10), p.512-515
2012
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The physical process analysis of the capacitance-voltage characteristics of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors
Chinese physics B, 2010-09, Vol.19 (9), p.536-542
2010
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Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
Chinese physics B, 2011-07, Vol.20 (7), p.393-398
2011
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Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs
Journal of semiconductors, 2010-05, Vol.31 (5), p.51-54
2010
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A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC
Journal of semiconductors, 2011-08, Vol.32 (8), p.128-131
2011
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A revised approach to Schottky parameter extraction for GaN HEMT
Journal of semiconductors, 2010-07, Vol.31 (7), p.32-35
2010
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