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杜仲性别相关EST-SSR标记的开发
林业科学, 2016, Vol.52 (10), p.146-152
2016
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降解残留有机农药的微生物资源研究进展
Nongyaoxue xuebao, 2008, Vol.10 (3), p.260-267
2008
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杜仲抗真菌肽对黄曲霉的抑制作用(英文)
Tian ran chan wu yan jiu yu kai fa, 2008, Vol.20 (2), p.332-334
2008
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CoSb3/MoCu热电接头的一步SPS法制备及性能评价
无机材料学报, 2009, Vol.24 (3), p.545-548
2009
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杜仲橡胶颗粒结合蛋白的分离、纯化及抗体制备
Linye kexue (1979), 2003, Vol.39 (4), p.23-29
2003
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Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC
Chinese physics B, 2016-05, Vol.25 (5), p.369-372
2016
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航空热红外多光谱扫描仪(ATIMS)数据发射率信息分析和提取
红外与毫米波学报, 1998, Vol.17 (3), p.166-170
1998
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The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition
Chinese physics B, 2011-12, Vol.20 (12), p.400-403
2011
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Time delay in InGaN multiple quantum well laser diodes at room temperature
Chinese physics B, 2010-12, Vol.19 (12), p.305-309, Article 124211
2010
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Temperature-dependent photoluminescence spectra of GaN epitaxial layer grown on Si（111） substrate
中国物理B：英文版, 2015 (10), p.543-546
2015
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Impact of GaN transition layers in the growth of GaN epitaxial layer on silicon
Journal of semiconductors, 2015-06, Vol.36 (6), p.21-24
2015
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碳杂质对p-GaN电阻率的补偿作用研究
Zhōngguó jīguāng, 2021, Vol.48 (13), p.1303001
2021
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Formation of two-dimensional electron gas at AIGaN/GaN heterostructure and the derivation of its sheet density expression
中国物理B：英文版, 2015 (6), p.516-520
2015
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Influence of Optical Field Distribution on GaN-Based Green Laser Diodes
Zhōngguó jīguāng, 2020-01, Vol.47 (7), p.701018
2020
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Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes
Chinese physics B, 2018-02, Vol.27 (2), p.588-593
2018
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Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide
Chinese physics B, 2017-12, Vol.26 (12), p.302-306
2017
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Physical implications of activation energy derived from temperature dependent photoluminescence of InGaN-based materials
Chinese physics B, 2017-06, Vol.26 (7), p.311-315
2017
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The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN
Chinese physics B, 2017-10, Vol.26 (10), p.411-416
2017
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Barrier Thickness Designing of InGaN/GaN Multiple Quantum Well for Electroluminescence
Faguang xuebao, 2018-02, Vol.39 (2), p.208-213
2018
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Effect of p-InGaN Layer Thickness on The Performance of p-i-n InGaN Solar Cells
Faguang xuebao, 2015-05, Vol.36 (5), p.534-538
2015
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Different influences of u-InGaN upper waveguide on the performance of GaN-based blue and green laser diodes
Chinese physics B, 2017-11, Vol.26 (11), p.210-215
2017
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Variation of efficiency droop with quantum well thickness in In GaN/GaN green light-emitting diode
中国物理B：英文版, 2015 (12), p.572-577
2015
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Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
中国物理B：英文版, 2017 (1), p.502-506
2017
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Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films
Chinese physics B, 2016-02, Vol.25 (2), p.384-387
2016
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Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
Chinese physics B, 2017, Vol.26 (1), p.498-502
2017
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