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三维多孔碳限域的磷化钴电催化剂用于高效的锌-空气电池和水分解
催化学报, 2022, Vol.43 (12), p.3107-3115
2022
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燃料电池碳基氧还原催化剂的设计与应用
物理化学学报, 2021, Vol.37 (9), p.30-42
2021
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二次电池研究进展
物理化学学报, 2022, Vol.38 (12), p.22-167
2022
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碳纳米管和石墨烯材料在柔性超级电容器中的应用
中国科学：材料科学（英文版）, 2018, Vol.61 (2), p.210-232
2018
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Robust Performance of AlGaN-Channel Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors at High Temperatures
中国物理快报：英文版, 2017 (12), p.79-82
2017
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Robust Performance of AlGaN-Channel Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors at High Temperatures
Chinese physics letters, 2017-12, Vol.34 (12), p.75-78
2017
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Distributed wireless quantum communication networks
Chinese physics B, 2013-09, Vol.22 (9), p.271-277
2013
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Stress, structural and electrical properties of Si-doped GaN film grown by MOCVD
Journal of semiconductors, 2009-12, Vol.30 (12), p.13-17
2009
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Surface morphology of [110] a-plane GaN growth by MOCVD on [1■02] r-plane sapphire
Journal of semiconductors, 2009-04, Vol.30 (4), p.14-17
2009
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Distributed wireless quantum communication networks with partially entangled pairs＊Distributed wireless quantum communication networks with partially entangled pairs＊Distributed wireless quantum communication networks with partially entangled pairs＊Distributed wireless quantum communication networks with partially entangled pairs
中国物理B：英文版, 2014 (1), p.66-73
2014
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Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched Ino.17Alo.s3N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition
中国物理B：英文版, 2014 (6), p.478-483
2014
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Effect of nucleation layer morphology on crystal quality,surface morphology and electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures
Journal of semiconductors, 2009-10, Vol.30 (10), p.68-70
2009
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Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method
Chinese physics B, 2014-04, Vol.23 (4), p.593-597
2014
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Effects of the strain relaxation of an A1GaN barrier layer induced by various cap layers on the transport properties in A1GaN/GaN heterostructures
中国物理：英文版, 2011, Vol.20 (9), p.425-429
2011
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Characterization of GaN grown on 4H-SiC and sapphire by Raman spectroscopy and high resolution XRD
Journal of semiconductors, 2009-07, Vol.30 (7), p.24-28
2009
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