Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Sortiert nach
Einfacher Volltextzugriff von (fast) überall
Installieren Sie die LibKey Nomad-Browsererweiterung und erhalten Sie von vielen Webseiten einfachen Zugriff auf lizenzierte Volltexte oder Open Access Publikationen. Mehr erfahren...
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel Solid-state Circuit Breaker with Robust Breaking Capability and High Efficiency
IEEE transactions on power electronics, 2023-10, Vol.38 (10), p.1-10
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Study on Transient Turn-On Characteristics of Pulse Power Thyristor-Type Devices Under Ultrahigh di/dt Condition
IEEE transactions on electron devices, 2023-02, Vol.70 (2), p.640-646
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Numerical Analysis for a P-Drift Region N-IGBT With Enhanced Dynamic Electric Field Modulation Effect
IEEE transactions on electron devices, 2022-06, Vol.69 (6), p.3277-3282
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Analysis of Energy Loss in GaN E-Mode Devices Under UIS Stresses
IEEE transactions on power electronics, 2022-06, Vol.37 (6), p.6711-6719
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Compact Model of High-Voltage MOSFET Based on Electric Field Continuity for Accurate Characterization of Capacitance
IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.431-439
2024
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Numerical Analysis of an Ultralow Switching Loss IGBT With an Inner Primary Blocking Junction
IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1-8
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
An Ultralow Loss Reverse-Conducting LIGBT With Embedded P-P-N Diode in Oxide Trench
IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.1-7
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Low Turn-Off Loss Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor With Double Deep P-Regions
IEEE transactions on electron devices, 2024-10, p.1-4
2024
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Experimental Demonstration of an Integrated Bidirectional Gate ESD Protection Structure for p-GaN Power HEMTs
IEEE electron device letters, 2023-02, Vol.44 (2), p.209-212
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel Insulated Gate Trigger Thyristor Integrated with Gate Transient Voltage Suppressor for Ultrahigh di/dt Pulse Switching
IEEE electron device letters, 2023-10, Vol.44 (10), p.1-1
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel 700-V SOI LDMOS With Double-Sided Trench
IEEE electron device letters, 2007-05, Vol.28 (5), p.422-424
2007
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Electrostatic Discharge (ESD) Behavior of p-GaN HEMTs
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020, p.317-320
2020
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel IGBT with Variable Conductance Path Realizing Both Low V and Turn-off Loss
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2023, p.175-178
2023
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
An Ultralow Loss N-channel RB-IGBT with P-drift Region
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2020, p.455-458
2020
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Experimentally demonstrate a cathode short MOS-controlled thyristor (CS-MCT) for single or repetitive pulse applications
2016 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2016, p.311-314
2016
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A 0.52 ppm/ degree C high-order temperature-compensated voltage reference
Analog integrated circuits and signal processing, 2010-01, Vol.62 (1), p.17-21
2010
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Novel 4H-SiC BJT utilizing floating buried layer in base for high current gain, high current gain stability and high breakdown voltage
Compel, 2010-01, Vol.29 (2), p.515-521
2010
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Novel 4HSiC BJT utilizing floating buried layer in base for high current gain, high current gain stability and high breakdown voltage
Compel, 2010-03, Vol.29 (2), p.515-521
2010
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel Full Tun-on Reverse-Conducting IGBT with Enhanced Carrier Concentration Modulation in Collector Side
2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2022, p.1-3
2022
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
Design of a novel triple reduced surface field LDMOS with partial linear variable doping n-type top layer
Superlattices and microstructures, 2016-05, Vol.93, p.242-247
2016
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
A Novel Curvature Compensation Technique for High Precision Voltage Reference
2006 International Conference on Communications, Circuits and Systems, 2006, Vol.4, p.2222-2225
2006
Volltextzugriff (PDF)
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
CMOS/SOI half-flash A/D converter
IEEE 2002 International Conference on Communications, Circuits and Systems and West Sino Expositions, 2002, Vol.2, p.1725-1727 vol.2
2002
Volltextzugriff (PDF)
1 – 22 von 22
Suche als RSS-Feed
Aktive Filter
ThemaVoltage
Suchergebnisse filtern
Filter anzeigen