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On Oxygen Deficiency and Fast Transient Charge-Trapping Effects in High- k Dielectrics
IEEE electron device letters, 2006-12, Vol.27 (12), p.984-987
2006
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Electrical observation of deep traps in high-/spl kappa//metal gate stack transistors
IEEE electron device letters, 2005-11, Vol.26 (11), p.839-841
2005
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Design and analysis of poloidal field magnet structures for KSTAR
IEEE transactions on applied superconductivity, 2004-06, Vol.14 (2), p.1423-1426
2004
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Comparison of Plasma-Induced Damage in SIO2/TIN and HFO2/TIN Gate Stacks
2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual, 2007, p.67-70
2007
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Intrinsic Threshold Voltage Instability of the HFO2 NMOS Transistors
2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2006, p.179-183
2006
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Mobility enhancement of high-k gate stacks through reduced transient charging
Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005, 2005, p.367-370
2005
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Comparison of NMOS and PMOS stress for determining the source of NBTI in TiN/HfSiON devices [MOSFETs]
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.80-83
2005
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Cold and hot carrier effects on HfO/sub 2/ and HfSiO NMOSFETS with tin gate electrode
63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05, 2005, Vol.1, p.103-104
2005
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Detection of Electron Trap Generation due to Constant Voltage Stress on High-κ Gate Stacks
2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2006, p.169-173
2006
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Recovery of NBTI degradation in HfSiON/metal gate transistors
IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2004, 2004, p.132-135
2004
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Comparison of hot carrier stress and constant voltage stress in Hf-silicate NMOS transistors with poly and TiN gate stack
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.638-639
2005
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Detection of trap generation in high-k gate stacks
2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop, 2005, p.5 pp.
2005
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Hot carrier stress study in Hf-silicate NMOS transistors
IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2004, 2004, p.136-140
2004
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Dominant SILC mechanisms in HfO/sub 2//TiN gate nMOS and pMOS transistors
2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual, 2005, p.642-643
2005
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  • BibTeX
Electron trap generation in high-/spl kappa/ gate stacks by constant voltage stress
IEEE transactions on device and materials reliability, 2006-06, Vol.6 (2), p.123-131
2006
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