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  • BibTeX
Area-Efficient Integration of Embedded 0.5F0.5R Hybrid Memory and High Mobility Logic Device on Ge
IEEE transactions on electron devices, 2023-10, Vol.70 (10), p.1-6
2023
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Open Access
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Impact of Bottom Electrode Crystallinity on Ferroelectricity of La-Doped HfO2
IEEE electron device letters, 2023-11, Vol.44 (11), p.1833-1836
2023
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Forming-Free HfOx-Based Resistive Memory With Improved Uniformity Achieved by the Thermal Annealing-Induced Self-Doping of Ge
IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1671-1675
2023
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  • BibTeX
Wake-Up Free La-Doped HfO2-ZrO2 Ferroelectrics Achieved With an Atomic Layer-Specific Doping Technique
IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1665-1668
2022
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  • BibTeX
Non-Volatile Flash Memory on Ge With an Oxidation-Induced Self-Assembled Charge Trapping Layer
IEEE electron device letters, 2022-06, Vol.43 (6), p.842-845
2022
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Open Access
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Wake-Up and Imprint Effects in Hafnium Oxide-Based Ferroelectric Capacitors during Cycling with Different Interval Times
Electronics (Basel), 2024-03, Vol.13 (6), p.1021
2024
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In-Memory-Computing and In-memory Cosine Similarity Search with Memory Diode Featuring Low Latency and High Energy Efficiency
2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA), 2024, p.1-2
2024
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Orthorhombic-I Phase and Related Phase Transitions: Mechanism of Superior Endurance (> 10^) of HfZrO Anti-ferroelectrics for DRAM Applications
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2024, p.P11.EM-1-P11.EM-6
2024
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  • BibTeX
Fermi-Level Pinning Engineering for Achieving High-Performance Ge-Based Resistive Memory With Ultrahigh Self-Rectifying Ratio (> 105)
IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.6751-6756
2022
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  • BibTeX
Modeling of Endurance Degradation of Anti-Ferroelectric HF1-xZRxO2 Capacitors
2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024, p.1-3
2024
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