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A physics-based modeling approach for the simulation of anomalous boron diffusion and clustering behaviors
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest, 1997, p.493-496
1997
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Predictive simulation of transient activation processes in boron-doped silicon structures
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217), 1998, p.493-496
1998
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