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Open Access
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Critical Voltage for Electrical Degradation of GaN High-Electron Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2008-04, Vol.29 (4), p.287-289
2008
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A Current-Transient Methodology for Trap Analysis for GaN High Electron Mobility Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2011-01, Vol.58 (1), p.132-140
2011
Open Access
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Measurement of Channel Temperature in GaN High-Electron Mobility Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2009-12, Vol.56 (12), p.2895-2901
2009
Open Access
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A model for the critical voltage for electrical degradation of GaN high electron mobility transistors
Microelectronics and reliability, 2010-06, Vol.50 (6), p.767-773
2010
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TEM Observation of Crack- and Pit-Shaped Defects in Electrically Degraded GaN HEMTs
IEEE electron device letters, 2008-10, Vol.29 (10), p.1098-1100
2008
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Role of stress voltage on structural degradation of GaN high-electron-mobility transistors
Microelectronics and reliability, 2011-02, Vol.51 (2), p.201-206
2011
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High voltage degradation of GaN High Electron Mobility Transistors on silicon substrate
Microelectronics and reliability, 2010-06, Vol.50 (6), p.758-762
2010
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Strain and Temperature Dependence of Defect Formation at AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on a Nanometer Scale
IEEE transactions on electron devices, 2012-10, Vol.59 (10), p.2667-2674
2012
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A Simple Current Collapse Measurement Technique for GaN High-Electron Mobility Transistors
IEEE electron device letters, 2008-07, Vol.29 (7), p.665-667
2008
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Traps and defects in pre- and post- stressed AlGaN-GaN high electron mobility transistors
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2011-07, Vol.208 (7), p.1611-1613
2011
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Impact of gate placement on RF power degradation in GaN high electron mobility transistors
Microelectronics and reliability, 2012, Vol.52 (1), p.33-38
2012
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ThemaSemiconductor Electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid State Devices
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