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Raman investigation of the electron-phonon interaction in n-type silicon nanocrystals
Physics of the solid state, 2008-05, Vol.50 (5), p.962-965
2008
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Light-emitting Si nanostructures formed in silica layers by irradiation with swift heavy ions
Applied physics. A, Materials science & processing, 2010-03, Vol.98 (4), p.873-877
2010
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Structure and optical properties of silicon nanopowders
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2008-02, Vol.147 (2), p.222-225
2008
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Effect of the ion-energy loss rate on defect formation during implantation in silicon nanocrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008, Vol.42 (9), p.1127-1131
2008
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Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-05, Vol.47 (5), p.606-611
2013
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Precipitation of boron in silicon on high-dose implantation
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-03, Vol.44 (3), p.285-288
2010
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Consecutive stages of redistribution of oxygen implanted in silicon heavily doped with boron
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2006-10, Vol.251 (2), p.445-450
2006
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Growth and electrical properties of the (Si/Ge)-on-insulator structures formed by ion implantation and subsequent hydrogen-assisted transfer
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-01, Vol.43 (1), p.52-56
2009
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