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- Leobandung, E.
- Nayakama, H.
- Mocuta, D.
- Miyamoto, K.
- Angyal, M.
- Meer, H.V.
- McStay, K.
- Ahsan, I.
- Allen, S.
- Azuma, A.
- Belyansky, M.
- Bentum, R.-V.
- Cheng, J.
- Chidambarrao, D.
- Dirahoui, B.
- Fukasawa, M.
- Gerhardt, M.
- Gribelyuk, M.
- Halle, S.
- Harifuchi, H.
- Harmon, D.
- Heaps-Nelson, J.
- Hichri, H.
- Ida, K.
- Inohara, M.
- Inouc, I.C.
- Jenkins, K.
- Kawamura, T.
- Kim, B.
- Ku, S.-K.
- Kumar, M.
- Lane, S.
- Liebmann, L.
- Logan, R.
- Melville, I.
- Miyashita, K.
- Mocuta, A.
- O'Neil, P.
- Ng, M.-F.
- Nogami, T.
- Nomura, A.
- Norris, C.
- Nowak, E.
- Ono, M.
- Panda, S.
- Penny, C.
- Radens, C.
- Ramachandran, R.
- Ray, A.
- Rhee, S.-H.
- Ryan, D.
- Shinohara, T.
- Sudo, G.
- Sugaya, F.
- Strane, J.
- Tan, Y.
- Tsou, L.
- Wang, L.
- Wirbeleit, F.
- Wu, S.
- Yamashita, T.
- Yan, H.
- Ye, Q.
- Yoneyama, D.
- Zamdmer, D.
- Zhong, H.
- Zhu, H.
- Zhu, W.
- Agnello, P.
- Bukofsky, S.
- Bronner, G.
- Crabbe, E.
- Freeman, G.
- Huang, S.-F.
- Ivers, T.
- Kuroda, H.
- McHerron, D.
- Pellerin, J.
- Toyoshima, Y.
- Subbanna, S.
- Kepler, N.
- Su, L.
2005
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2009 Symposium on VLSI Technology, 2009, p.140-141
- Greene, B.
- Liang, Q.
- Amarnath, K.
- Wang, Y.
- Schaeffer, J.
- Cai, M.
- Liang, Y.
- Saroop, S.
- Cheng, J.
- Rotondaro, A.
- Han, S.-J.
- Mo, R.
- McStay, K.
- Ku, S.
- Pal, R.
- Kumar, M.
- Dirahoui, B.
- Yang, B.
- Tamweber, F.
- Lee, W.-H.
- Steigerwalt, M.
- Weijtmans, H.
- Holt, J.
- Black, L.
- Samavedam, S.
- Turner, M.
- Ramani, K.
- Lee, D.
- Belyansky, M.
- Chowdhury, M.
- Aime, D.
- Min, B.
- van Meer, H.
- Yin, H.
- Chan, K.
- Angyal, M.
- Zaleski, M.
- Ogunsola, O.
- Child, C.
- Zhuang, L.
- Yan, H.
- Permanaa, D.
- Sleight, J.
- Guo, D.
- Mittl, S.
- Ioannou, D.
- Wu, E.
- Chudzik, M.
- Park, D.-G.
- Brown, D.
- Luning, S.
- Mocuta, D.
- Maciejewski, E.
- Henson, K.
- Leobandung, E.
2009
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2003 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications. Proceedings of Technical Papers. (IEEE Cat. No.03TH8672), 2003, p.243-246
2003
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2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2009, p.1-4
2009
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IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report, 2002, 2002, p.71-75
2002
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International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.3.3.1-3.3.4
2001
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2001 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.01 CH37184), 2001, p.31-32
2001
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2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303), 2002, p.52-53
- Akatsu, H.
- Weis, R.
- Cheng, K.
- Seitz, M.
- Kim, M.-S.
- Ramachandran, R.
- Dyer, T.
- Kim, B.
- Kim, D.-K.
- Malik, R.
- Strane, J.
- Goebel, T.
- Kwon, O.-J.
- Sung, C.Y.
- Parkinson, P.
- Wilson, K.
- McStay, I.
- Chudzik, M.
- Dobuzinsky, D.
- Jacunski, M.
- Ransom, C.
- Settlemyer, K.
- Economikos, L.
- Simpson, A.
- Knorr, A.
- Naeem, M.
- Stojakovic, G.
- Robl, W.
- Gluschenkov, O.
- Liegl, B.
- Wu, C.-H.
- Wu, Q.
- Li, W.-K.
- Choi, C.J.
- Arnold, N.
- Joseph, T.
- Varn, K.
- Weybright, M.
- McStay, K.
- Kang, W.-T.
- Li, Y.
- Bukofsky, S.
- Jammy, R.
- Schutz, R.
- Gutmann, A.
- Bergner, W.
- Divakaruni, R.
- Back, D.
- Crabbe, E.
- Mueller, W.
- Bronner, G.
2002
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2003 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications. Proceedings of Technical Papers. (IEEE Cat. No.03TH8672), 2003, p.21-24
2003
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2006 International Electron Devices Meeting, 2006, p.1-4
- Wang, G.
- Cheng, K.
- Ho, H.
- Faltermeier, J.
- Kong, W.
- Kim, H.
- Cai, J.
- Tanner, C.
- McStay, K.
- Balasubramanyam, K.
- Pei, C.
- Ninomiya, L.
- Li, X.
- Winstel, K.
- Dobuzinsky, D.
- Naeem, M.
- Zhang, R.
- Deschner, R.
- Brodsky, M.J.
- Allen, S.
- Yates, J.
- Feng, Y.
- Marchetti, P.
- Norris, C.
- Casarotto, D.
- Benedict, J.
- Kniffm, A.
- Parise, D.
- Khan, B.
- Barth, J.
- Parries, P.
- Kirihata, T.
- Norum, J.
- Iyer, S.S.
2006
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2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303), 2002, p.180-181
2002
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International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.18.7.1-18.7.4
2001
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