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Landau level spectroscopy of valence bands in HgTe quantum wells: effects of symmetry lowering
Journal of physics. Condensed matter, 2019-04, Vol.31 (14), p.145501-145501
2019
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Generation of Long-Wavelength Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Wells with an Increased Auger Recombination Threshold
JETP letters, 2023-09, Vol.118 (5), p.309-314
2023
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Massless Dirac fermions in III-V semiconductor quantum wells
Physical review. B, 2019-03, Vol.99 (12), Article 121405
2019
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Residual-Photoconductivity Spectra in HgTe/CdHgTe Quantum-Well Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-10, Vol.53 (10), p.1363-1366
2019
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Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells
Physical review. B, 2017-07, Vol.96 (3), Article 035405
2017
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Bipolar Persistent Photoconductivity in HgTe/CdHgTe (013) Double Quantum-Well Heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-12, Vol.52 (12), p.1586-1589
2018
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Magnetooptics of HgTe/CdTe Quantum Wells with Giant Rashba Splitting in Magnetic Fields up to 34 T
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2018-11, Vol.52 (11), p.1386-1391
2018
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Cyclotron resonance study in InAs/AlSb quantum well heterostructures with two occupied electronic subbands
Journal of applied physics, 2012-05, Vol.111 (9), p.093711-093711-7
2012
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Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-12, Vol.51 (12), p.1562-1570
2017
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Cyclotron resonance of dirac fermions in InAs/GaSb/InAs quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-01, Vol.51 (1), p.38-42
2017
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Cyclotron Resonance of Extremely Conductive 2D Holes in High Ge Content Strained Heterostructures
Journal of low temperature physics, 2010-04, Vol.159 (1-2), p.216-221
2010
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Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2013-02, Vol.87 (7), Article 075315
2013
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Features of the persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells and a tunneling-transparent barrier
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-11, Vol.46 (11), p.1396-1401
2012
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Exchange enhancement of the electron g-factor in a two-dimensional semimetal in HgTe quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-12, Vol.49 (12), p.1627-1633
2015
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Cyclotron resonance in InAs/AlSb quantum wells in magnetic fields up to 45 T
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-12, Vol.49 (12), p.1616-1622
2015
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Specific features of the spectra and relaxation kinetics of long-wavelength photoconductivity in narrow-gap HgCdTe epitaxial films and heterostructures with quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-11, Vol.47 (11), p.1438-1441
2013
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Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-11, Vol.47 (11), p.1485-1491
2013
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Persistent photoconductivity in InAs/AlSb heterostructures with double quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-05, Vol.44 (5), p.616-622
2010
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Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-07, Vol.42 (7), p.828-833
2008
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The cyclotron resonance of holes in InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells in quantizing magnetic fields
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-11, Vol.44 (11), p.1492-1494
2010
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