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2012
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Applied surface science, 2023-12, Vol.641, p.158425, Article 158425
2023
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2024
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2017
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IEEE transactions on electron devices, 2023-02, Vol.70 (2), p.640-646
2023
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Diamond and related materials, 2023-12, Vol.140, p.110555, Article 110555
2023
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IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.431-439
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IEEE transactions on electron devices, 2022-12, Vol.69 (12), p.1-7
2022
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Vacuum, 2022-02, Vol.196, p.110728, Article 110728
2022
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IEEE transactions on electron devices, 2024-10, p.1-4
2024
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IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1843-1848
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IEEE transactions on electron devices, 2022-03, Vol.69 (3), p.1211-1218
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IEEE transactions on electron devices, 2021-04, Vol.68 (4), p.1542-1549
2021
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Applied sciences, 2022-10, Vol.12 (19), p.9974
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Semiconductor science and technology, 2022-12, Vol.37 (12), p.125004
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IEEE transactions on electron devices, 2018-10, Vol.65 (10), p.4729-4733
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IEEE transactions on electron devices, 2019-10, Vol.66 (10), p.4314-4319
2019
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IEEE transactions on electron devices, 2018-12, Vol.65 (12), p.5322-5328
2018
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ECS journal of solid state science and technology, 2022-01, Vol.11 (1), p.15002
2022
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IEEE transactions on electron devices, 2019-02, Vol.66 (2), p.1018-1025
2019
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A GaN enhancement-mode reverse blocking MISHEMT with MIS field-effect drain for bidirectional switch
2018
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ECS transactions, 2013, Vol.52 (1), p.17-21
2013
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Solid-state electronics, 2007-03, Vol.51 (3), p.394-397
2007
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Vacuum, 2006-09, Vol.80 (11), p.1371-1375
2006
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