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Gate oxide degradation of SiC MOSFET under short-circuit aging tests
Microelectronics and reliability, 2016-09, Vol.64, p.415-418
2016
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Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFET
Microelectronics and reliability, 2017-09, Vol.76-77, p.527-531
2017
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Open Access
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Investigation of the aging of power GaN HEMT under operational switching conditions, impact on the power converters efficiency
Microelectronics and reliability, 2019-09, Vol.100-101, p.113403, Article 113403
2019
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Robustness of 4H-SiC 1200 V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis
Diamond and related materials, 2014-04, Vol.44, p.62-70
2014
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A 5000 h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications
Microelectronics and reliability, 2010-09, Vol.50 (9), p.1574-1576
2010
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Extraction of physical Schottky parameters using the Lambert function in Ni/AlGaN/GaN HEMT devices with defined conduction phenomena
Journal of semiconductors, 2017-01, Vol.38 (1), p.14007
2017
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Compared deep class-AB and class-B ageing on AlGaN/GaN HEMT in S-Band pulsed-RF operating life
Microelectronics and reliability, 2012-11, Vol.52 (11), p.2561-2567
2012
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Characterization and modeling of hot carrier injection in LDMOS for L-band radar application
Microelectronics and reliability, 2011-08, Vol.51 (8), p.1289-1294
2011
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Robustness of 4H-SiC 1200V Schottky diodes under high electrostatic discharge like human body model stresses: An in-depth failure analysis
Diamond and related materials, 2014-04, Vol.44, p.62-70
2014
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