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Bright Electroluminescence from Planar Structures on Porous Silicon
Physica status solidi. A, Applied research, 1997-08, Vol.162 (2), p.R7-R8
1997
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Creation and studies of the photosensitivity of Ox/n-GaP structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-06, Vol.46 (6), p.779-782
2012
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Photosensitive Ox/GaAs heterojunctions: Creation and properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-06, Vol.46 (6), p.783-785
2012
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Laser induced modification of surface structures
Applied surface science, 2007-02, Vol.253 (9), p.4295-4299
2007
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Creation and photoelectric properties of Ox/p-InAs heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-10, Vol.46 (10), p.1270-1273
2012
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p-GaSb(Ox)/n-GaSb native-oxide heterojunctions: Non-vacuum process and photoelectric properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-04, Vol.48 (4), p.455-458
2014
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Polydisalicylidene azomethyne/Si(GaAs) heterojunctions: Development and properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-03, Vol.44 (3), p.354-358
2010
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Photoelectrochemical cells based on In2S3 single crystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-04, Vol.43 (4), p.425-428
2009
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Photosensitive structure on CdGa2S4 single crystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-11, Vol.37 (11), p.1283-1290
2003
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Formation and Investigation of Photosensitive Structures Based on Laser-Deposited CuInSe2-2ZnSe Films
Physica status solidi. A, Applied research, 2001-12, Vol.188 (3), p.1077-1085
2001
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Photoelectric properties of heterojunctions between silicon and polyhomoconjugated organometallic compounds
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-01, Vol.37 (1), p.53-56
2003
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Photosensitive structures based on ZnP2 single crystals of monoclinic and tetragonal modifications: Fabrication and properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-07, Vol.43 (7), p.858-864
2009
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  • BibTeX
Photosensitive structures based on single-crystal silicon and phthalocyanine CuPc: Fabrication and properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-09, Vol.38 (9), p.1018-1022
2004
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  • BibTeX
Tunneling recombination in semiconductor structures with nanoscale disorder
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-04, Vol.43 (4), p.440-446
2009
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  • BibTeX
Fabrication and properties of ZnFe2S4 single crystals and structures based on them
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-06, Vol.37 (6), p.656-660
2003
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  • BibTeX
Oscillations of induced photopleochroism in ZnO/GaAs heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-04, Vol.38 (4), p.393-396
2004
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  • BibTeX
Photosensitive structures based on CdGa2Se4 single crystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-05, Vol.37 (5), p.553-558
2003
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  • BibTeX
Photosensitivity of Heterostructures Based on Finely Ground Semiconductor Phases
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005, Vol.39 (11), p.1294
2005
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  • BibTeX
Fabrication and properties of photosensitive structures based on ZnIn2S4 single crystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-02, Vol.37 (2), p.178-182
2003
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  • BibTeX
Photosensitive structures based on HgGa2S4 single crystals: Preparation and properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-11, Vol.38 (11), p.1291-1297
2004
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  • BibTeX
Photoelectrochemical cells based on ternary compounds CuIn2n + 1Se3n + 2 (n = 3–6)
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2009-03, Vol.43 (3), p.374-378
2009
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Fabrication and photoelectric properties of oxide/CdTe structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2000-01, Vol.34 (9), p.1058-1061
2000
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  • BibTeX
Photovoltaic effect in a-Si:H/n-InSe heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2000-01, Vol.34 (9), p.1064-1067
2000
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  • BibTeX
Fabrication and photosensitivity of AgInSe2/III-VI isotypic heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1999-10, Vol.33 (10), p.1097-1099
1999
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  • BibTeX
Optoelectronic phenomena in GaAs and GaP layers prepared by nitrogen treatment
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 1998-10, Vol.32 (10), p.1075-1076
1998
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