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Electric dipole formation at high-k dielectric/SiO2 interface
半导体学报：英文版, 2015-03 (3), p.150-152
2015
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Physical origin investigation of the flatband voltage roll off for metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure
Journal of semiconductors, 2015-09, Vol.36 (9), p.71-74
2015
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Remote scavenging technology using a Ti/TiN capping layer interposed in a metal/high-k gate stack
Journal of semiconductors, 2013-07, Vol.34 (7), p.167-169
2013
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