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Effect of electric field polarity on inter-poly dielectric during cell operation for the retention characteristics
Microelectronics and reliability, 2015-04, Vol.55 (5), p.795-798
2015
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Reliability issue of 20 nm MLC NAND Flash
2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2013, p.3B.2.1-3B.2.4
2013
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Methodology for improvement of data retention in floating gate flash memory using leakage current estimation
Microelectronics and reliability, 2013-09, Vol.53 (9-11), p.1338-1341
2013
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Analysis of Intrinsic Charge Loss Mechanisms for Nanoscale nand Flash Memory
IEEE transactions on device and materials reliability, 2015-09, Vol.15 (3), p.319-325
2015
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