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20% External Quantum Efficiency in Solution-Processed Blue Thermally Activated Delayed Fluorescent Devices
Advanced functional materials, 2015-11, Vol.25 (43), p.6786-6792
2015
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Polymer bulk heterojunction photovoltaics employing a squaraine donor additive
Organic electronics, 2013-04, Vol.14 (4), p.1081-1085
2013
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Effect of GaAsyP1−y(0⩽y<1) interlayers on the structural, optical, and electrical characteristics of GaAs/InGaP heterojunction
Applied physics letters, 2000-04, Vol.76 (17), p.2379-2381
2000
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Interface states in In0.5Ga0.5P/AlxGa1−xAs heterostructures grown by liquid phase epitaxy
Journal of applied physics, 1997-06, Vol.81 (11), p.7362-7366
1997
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Band offset transitivity in AlGaAs/InGaP/InGaAsP heterostructures on a GaAs substrate
Applied physics letters, 1996-12, Vol.69 (24), p.3740-3742
1996
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Recombination dynamics in n-AlxGa1−xAs/n-In0.5Ga0.5P type-II heterostructures
Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (9), p.1245-1247, Article 1245
1998
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Effects of Substrate Misorientation on the Formation and Characteristics of Self-Assembled InP/InGaP Quantum Dots
Japanese Journal of Applied Physics, 1998-04, Vol.37 (4A), p.L366
1998
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The characteristics of an In0.5Ga0.5P and In0.5Ga0.5P/GaAs heterojunction grown on a (100) GaAs substrate by liquid-phase epitaxy
Journal of applied physics, 1992-05, Vol.71 (10), p.5016-5021
1992
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Schottky barrier heights and conduction-band offsets of In1−xGaxAs1−yPy lattice matched to GaAs
Applied physics letters, 1997-08, Vol.71 (7), p.912-914
1997
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