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A Novel Multifin Dynamic Random Access Memory Periphery Transistor Technology Using a Spacer Patterning through Gate Polycrystalline Silicon Technique
Japanese Journal of Applied Physics, 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
2009
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The application of BT-FinFET technology for sub 60nm DRAM integration
2005 International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, 2005. ICICDT 2005, 2005, p.37-41
2005
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Three Series-Connected Transistor Model for a Recess-Channel-Array Transistor and Improvement of Electrical Characteristics by a Bottom Fin Structure
Japanese Journal of Applied Physics, 2009-05, Vol.48 (5R), p.54504
2009
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Recessed Channel Fin Field-Effect Transistor Cell Technology for Future-Generation Dynamic Random Access Memories
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2672
2008
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Investigation of Body Bias Dependence of Gate-Induced Drain Leakage Current for Body-Tied Fin Field Effect Transistor
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-09, Vol.47 (9R), p.7065
2008
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