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Photodiodes based on p-on-n junctions formed in MBE-grown n-type MCT absorber layers for the spectral region 8 to 11 μm
Infrared physics & technology, 2020-03, Vol.105, p.103182, Article 103182
2020
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Monte Carlo Simulation of Charge Carrier Diffusion for Determining the Spatial Resolution of Infrared Cadmium—Mercury—Tellurium Detectors
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2019-09, Vol.55 (5), p.519-524
2019
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Molecular Beam Epitaxy of CdHgTe: Current State and Horizons
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2020-09, Vol.56 (5), p.456-469
2020
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Effect of Surface Treatment on the Charge Density at the Interface between GdHgTe Epitaxial Films and AlO Grown by Atomic Layer Deposition
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2020, Vol.56 (5), p.492-497
2020
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The reverse current temperature dependences of SWIR CdHgTe “p-on-n” and “n-on-p” junctions
Infrared physics & technology, 2015-11, Vol.73, p.312-315
2015
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Impact of high-conductivity n-type anti-debiasing layer on the photoresponse of “leaking” and “non-leaking” FPA elements in photovoltaic MCT-based n-on-p infrared FPA detectors
Infrared physics & technology, 2017-03, Vol.81, p.223-227
2017
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High-performance 320 × 256 long-wavelength infrared photodetector arrays based on CdHgTe layers grown by molecular beam epitaxy
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2013, Vol.49 (5), p.485-491
2013
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Open Access
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320×256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter
Opto-electronics review, 2010, Vol.18 (3), p.236-240
2010
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Open Access
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Linear HgCdTe IR FPA 288×4 with bidirectional scanning
Opto-electronics review, 2010, Vol.18 (3), p.332-337
2010
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HgCdTe heterostructures on Si(310) substrates for infrared photodetectors
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2009-08, Vol.45 (4), p.301-307
2009
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Effect of post-implantation annealing on the current-voltage characteristics of IR photodiodes based on p-HgCdTe
Optoelectronics, instrumentation, and data processing, 2009-08, Vol.45 (4), p.308-315
2009
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