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Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities
Russian physics journal, 2022-10, Vol.65 (6), p.909-923
2022
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Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs
Russian physics journal, 2022-04, Vol.64 (12), p.2350-2356
2022
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Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics
Russian physics journal, 2021-03, Vol.63 (11), p.2013-2024
2021
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Photoelectrical characteristics of TiO2-N-SI heterostructures
Microwave and optical technology letters, 2016-05, Vol.58 (5), p.1113-1116
2016
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Electrical, Structural, and Magnetic Properties of Gallium Arsenide Doped with Iron
Russian physics journal, 2018-07, Vol.61 (3), p.491-497
2018
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Internal Quantum Efficiency of Led Structures at Various Charge Carrier Distributions Over InGaN/GaN Quantum Wells
Russian physics journal, 2018-06, Vol.61 (2), p.211-215
2018
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Diffusion of Magnesium in Led Structures with InGaN/GaN Quantum Wells at True Growth Temperatures 860–980°C of p-GaN
Russian physics journal, 2018-05, Vol.61 (1), p.187-190
2018
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Fabrication and Investigation of Indium Nitride Possessing Ferromagnetic Properties
Russian physics journal, 2018-04, Vol.60 (12), p.2177-2185
2018
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Luminescence of Ga2O3 Crystals Excited with a Runaway Electron Beam
Optics and spectroscopy, 2017-12, Vol.123 (6), p.867-870
2017
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Properties of Gallium Oxide Films Obtained by HF-Magnetron Sputtering
Russian physics journal, 2018-03, Vol.60 (11), p.1911-1916
2018
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Stability of Electrical Characteristics of MOS Structures Based on Gallium Oxide
Russian physics journal, 2016-10, Vol.59 (6), p.757-761
2016
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A Solid-State Sub-Nanosecond Microwave Switch
Russian physics journal, 2016-12, Vol.59 (8), p.1187-1191
2016
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Effect of a Short-Period InGaN/GaN Superlattice on the Efficiency of Blue LEDs at High Level of Optical Pumping
Russian physics journal, 2016-11, Vol.59 (7), p.934-937
2016
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Diffusion and solubility of electrically active iron atoms in gallium arsenide
Russian physics journal, 2008-11, Vol.51 (11), p.1157-1160
2008
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Hopping Transport of Charge Carriers in LEDs Based on Multiple InGaN/GaN Quantum Wells
Russian physics journal, 2015-01, Vol.57 (9), p.1246-1250
2015
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Temperature Dependence of Quantum Efficiency of InGaN/GaN Led Structures at High Current Density
Russian physics journal, 2015-09, Vol.58 (5), p.641-645
2015
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Physical properties of indium nitride, impurities, and defects
Russian physics journal, 2014, Vol.56 (9), p.997-1006
2014
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Gallium nitride as a material for spintronics
Russian physics journal, 2013, Vol.55 (8), p.903-909
2013
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Generation of Terahertz Radiation in LED Heterostructures with Multiple InGaN/GaN Quantum Wells at Two-Photon Excitation by Femtosecond
Russian physics journal, 2015-06, Vol.58 (2), p.192-197
2015
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Temperature Dependence of the Quantum Efficiency of Structures with Multiple Quantum Wells InGaN / GaN Under Photo- and Electroluminescence
Russian physics journal, 2013-12, Vol.56 (7), p.757-759
2013
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The Influence of Superlattice on the Internal Quantum Efficiency of LED Structures with InGaN / GaN Quantum Wells
Russian physics journal, 2013-12, Vol.56 (7), p.760-762
2013
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Transmission Spectra and Generation of Terahertz Pulses in SiO2-GaSe, TiO2-GaSe, Ga2O3-GaSe, and GaSe:S Structures
Russian physics journal, 2015-12, Vol.58 (8), p.1181-1185
2015
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Electrical Properties OF GaAs Doped with Iron
Russian physics journal, 2014-04, Vol.56 (12), p.1435-1438
2014
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Effect of Magnesium Diffusion Into the Active Region of LED Structures with InGaN/GaN Quantum Wells on Internal Quantum Efficiency
Russian physics journal, 2014-08, Vol.57 (4), p.533-535
2014
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Electroluminescence Spectra of “Red” LED AlGaInP / GaAs Structures
Russian physics journal, 2013-12, Vol.56 (8), p.894-897
2013
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