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Implantation of P ions in SiO2 layers with embedded Si nanocrystals
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2004-08, Vol.222 (3-4), p.497-504
2004
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Endotaxial growth of InSb nanocrystals at the bonding interface of the In+ and Sb+ ion implanted SOI structure
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2009-05, Vol.267 (8-9), p.1360-1363
2009
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Nanometer-thick SGOI structures produced by Ge+ ion implantation of SiO2 films and subsequent hydrogen transfer of Si layers
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2009-05, Vol.267 (8-9), p.1277-1280
2009
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Consecutive stages of redistribution of oxygen implanted in silicon heavily doped with boron
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2006-10, Vol.251 (2), p.445-450
2006
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Fabrication and preliminary testing of regular microporous membranes manufactured by deep X-ray lithography at the VEPP-3 storage ring
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 1995-05, Vol.359 (1), p.404-408
1995
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