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Spatial hole burning and spectral stability of a quantum-dot laser
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-11, Vol.49 (11), p.1499-1505
2015
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Effect of carrier dynamics and temperature on two-state lasing in semiconductor quantum dot lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-10, Vol.47 (10), p.1397-1404
2013
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Thermal resistance of ultra-small-diameter disk microlasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2015-05, Vol.49 (5), p.674-678
2015
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Lasing in microdisks of ultrasmall diameter
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2014-12, Vol.48 (12), p.1626-1630
2014
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Spectral width of laser generation in quantum dot lasers: An analytical approach
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-02, Vol.45 (2), p.241-247
2011
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Influence of inhomogeneous broadening and deliberately introduced disorder on the width of the lasing spectrum of a quantum dot laser
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-05, Vol.46 (5), p.684-689
2012
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Features of simultaneous ground- and excited-state lasing in quantum dot lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-02, Vol.46 (2), p.231-235
2012
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Spectral dependence of the linewidth enhancement factor in quantum dot lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-12, Vol.47 (12), p.1656-1660
2013
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Optimization of the design and mode of operation of a QD laser for reducing the heat-to-bitrate ratio
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-08, Vol.47 (8), p.1097-1102
2013
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Effect of the nonlinear saturation of the gain on the peak modulation frequency in lasers based on self-assembled quantum dots
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-07, Vol.45 (7), p.966-970
2011
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Effect of an excited-state optical transition on the linewidth enhancement factor of quantum dot lasers
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-02, Vol.46 (2), p.225-230
2012
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MBE-grown ultra-large aperture single-mode vertical-cavity surface-emitting laser with all-epitaxial filter section
Journal of crystal growth, 2007-04, Vol.301, p.945-950
2007
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